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來(lái)源：IT之家 9 月 28 日消息，ASML 首席技術(shù)官 Martin van den Brink 日前接受 Bits & Chips 的采訪(fǎng)時(shí)表示，目前公司正有序推行其路線(xiàn)圖，在 EUV 之后是 High-NA EUV 技術(shù)。ASML 正在準備向客戶(hù)交付首臺 High-NA EUV 光刻機，大概會(huì )在明年某個(gè)時(shí)間點(diǎn)完成，Martin 相信這個(gè)目標會(huì )實(shí)現，盡管供應鏈問(wèn)題仍然可能會(huì )擾亂這一計劃。 IT之家了解到，NA (NumericalAperture) 被稱(chēng)作數值孔徑，是光學(xué)鏡頭的一個(gè)重要指標，一般光刻機設備都會(huì )明確標注該指標的數值。在光源波長(cháng)不變的情況下，NA 的大小直接決定和光刻機的實(shí)際分辨率，也等于決定了光刻機能夠達到的最高的工藝節點(diǎn)。High-NA EUV 是下一代光刻設備，與現有的 EUV 光刻設備相比，可以雕刻出更精細的電路，其被認為是一個(gè)改變游戲規則的設備，將決定 3 納米以下代工市場(chǎng)技術(shù)競賽的贏(yíng)家。 
Van den Brink 說(shuō)，到目前為止，開(kāi)發(fā)高 High-NA 技術(shù)的最大挑戰是為 EUV 光學(xué)器件構建計量工具。High-NA 鏡的尺寸是其前身的兩倍，需要在 20 皮米范圍內保持平整。這需要在一個(gè)大到“可以容納半個(gè)公司”的真空容器中進(jìn)行驗證，該容器位于蔡司公司。 High-NA EUV 光刻機會(huì )比現有的 EUV 光刻機更為耗電，從 1.5 兆瓦增加到 2 兆瓦。主要原因是因為光源，High-NA 使用了相同的光源需要額外 0.5 兆瓦，ASML 還使用水冷銅線(xiàn)為其供電。 至于 High-NA EUV 技術(shù)之后的技術(shù)方案，Martin 表示，ASML 正在研究降低波長(cháng)，但他個(gè)人不認為 Hyper-NA 是可行的，他們正在對其進(jìn)行研究，但這并不意味著(zhù)它將投入生產(chǎn)。Martin 懷疑 High-NA 將是最后一個(gè) NA，當前半導體光刻技術(shù)之路或已走到盡頭。 High-NA EUV 系統將提供 0.55 數值孔徑，與此前配備 0.33 數值孔徑透鏡的 EUV 系統相比，精度會(huì )有所提高，可以實(shí)現更高分辨率的圖案化，以實(shí)現更小的晶體管特征。到了 Hyper-NA 系統，會(huì )高于 0.7，甚至達到 0.75，理論上是可以做到的。從技術(shù)方面來(lái)講，也可以做到。但如果 hyper-NA 的成本像 High-NA 那樣快速增長(cháng)，那么它在經(jīng)濟上將幾乎是不可行的。因此，Hyper-NA 研究項目的主要目標是提出聰明的解決方案，使該技術(shù)在成本和可制造性方面保持可控。 |
