Intel承認在EUV光刻上犯錯:當年太自信

發(fā)布時(shí)間:2022-10-15 10:13    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: Intel承 , EUV , 光刻
來(lái)源:快科技

最近幾年,臺積電及三星在半導體工藝上超越了Intel,后者在14nm節點(diǎn)之前都是全球最先進(jìn)的半導體公司,然而在10nm節點(diǎn)面臨各種困難,給了對手可乘之機。

Intel在這個(gè)過(guò)程中是如何被超越的?CEO基辛格日前接受了采訪(fǎng),特別提到了Intel在EUV光刻工藝上的選擇錯誤。

在EUV技術(shù)研發(fā)上,Intel是全球重要推手,ASML研發(fā)EUV光刻機也得到了Intel的不少幫助,但是Intel在10nm節點(diǎn)沒(méi)有選擇EUV光刻,而是嘗試了新的SAQP四重曝光技術(shù),它們的目標是不依賴(lài)EUV光刻機也能生產(chǎn)先進(jìn)工藝。

基辛格表示,當初這個(gè)目標是很好的,然而SAQP曝光工藝非常復雜,成本高,隨著(zhù)時(shí)間的推移,Intel站在了EUV錯誤的一邊,基辛格表示當時(shí)應該至少有一個(gè)并行的EUV戰略才對。

基辛格所說(shuō)的這個(gè)事其實(shí)就是過(guò)去幾年中Intel在10nm工藝上多次跳票的關(guān)鍵,這兩年才算是搞定了10nm工藝的量產(chǎn),現在改名為Intel 7工藝。

至于EUV工藝,Intel現在也重視起來(lái)了,跟ASML的合作很好,今年底量產(chǎn)的Intel 4工藝就是Intel首個(gè)EUV工藝,用于首發(fā)量產(chǎn)14代酷睿Meteor Lake,明年上市。
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