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新的1700 V EliteSiC器件在能源基礎設施和工業(yè)驅動(dòng)應用中實(shí)現可靠、高能效的工作 的安森美(onsemi)將其碳化硅(SiC)系列命名為“EliteSiC”。在本周美國拉斯維加斯消費電子展覽會(huì )(CES)上，安森美將展示EliteSiC 系列的3款新成員：一款1700 V EliteSiC MOSFET和兩款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二極管。這些新的器件為能源基礎設施和工業(yè)驅動(dòng)應用提供可靠、高能效的性能，并突顯安森美在工業(yè)碳化硅方案領(lǐng)域的領(lǐng)導者地位。 
安森美的1700 V EliteSiC MOSFET（NTH4L028N170M1），提供高功率工業(yè)應用所需的更高擊穿電壓（BV）的SiC方案。兩款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二極管（NDSH25170A、NDSH10170A）讓設計人員能夠實(shí)現在高溫高壓下穩定運行、同時(shí)由SiC賦能高能效的設計。 安森美執行副總裁兼電源方案部總經(jīng)理Simon Keeton說(shuō)：“新的1700 V EliteSiC器件提供出色的能效和更低的功率損耗，加強了我們EliteSiC系列產(chǎn)品在性能和品質(zhì)方面的高標準，同時(shí)也進(jìn)一步擴大了安森美EliteSiC的深度和廣度。加上我們的端到端SiC制造能力，安森美提供的技術(shù)和供貨保證可以滿(mǎn)足工業(yè)能源基礎設施和工業(yè)驅動(dòng)提供商的需求�！� 可再生能源應用正不斷向更高的電壓發(fā)展，其中太陽(yáng)能系統正從1100 V向1500 V直流母線(xiàn)發(fā)展。為了支持這變革，客戶(hù)需要具有更高擊穿電壓（BV）值的MOSFET。新的1700 V EliteSiC MOSFET的最大Vgs范圍為-15 V/25 V，適用于柵極電壓提高到-10 V的快速開(kāi)關(guān)應用，提供更高的系統可靠性。 在1200 V、40 A的測試條件下，1700 V EliteSiC MOSFET的柵極電荷（Qg）達到領(lǐng)先市場(chǎng)的200 nC，而同類(lèi)競爭器件的Qg近300 nC。低Qg對于在快速開(kāi)關(guān)、高功率可再生能源應用中實(shí)現高能效至關(guān)重要。 在1700 V的額定擊穿電壓（BV）下，EliteSiC肖特基二極管器件在最大反向電壓（VRRM）和二極管的峰值重復反向電壓之間提供了更好的余量。新器件還具有出色的反向漏電流性能，其最大反向電流（IR）在25°C時(shí)僅為40 μA，在175°C時(shí)為100 μA --明顯優(yōu)于在25°C時(shí)額定值通常為100 μA的競爭器件。 欲了解關(guān)于安森美的EliteSiC方案的更多信息，請訪(fǎng)問(wèn)onsemi.cn或于美國時(shí)間1月5日至8日在美國內華達州拉斯維加斯舉行的消費電子展覽會(huì )(CES)蒞臨安森美展臺。 |
