EasyPACK/1200V300A碳化硅模塊特點(diǎn) 1. 采用先進(jìn)的真空回流焊工藝，Al2O3絕緣陶瓷，最高工作結溫150℃； 2. 高功率密度，低寄生電感，低開(kāi)關(guān)損耗； 3. 適用高溫、高頻應用； 4. 集成NTC溫度傳感器，易于系統集成。 
ASC300N1200MEP2B.pdf
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| SiC 功率電子器件的主要優(yōu)點(diǎn)是開(kāi)關(guān)頻率高、導通損耗低、效率更高且熱管理系統更簡(jiǎn)單。 |
| 集成NTC溫度傳感器，易于系統集成。 |
| 碳化硅MOS管650V-1200V-1700V-3300V-6500V。 |
| 1200V300A碳化硅模塊 |
| 碳化硅MOS耐壓650V-3300V和SiC模塊產(chǎn)品簡(jiǎn)介https://pan.baidu.com/s/1r39awsNBDE_0BKwUcGwuxg 提取碼xez4 |
| 碳化硅MOS（SiC MOSFET）特性 - http://selenalain.com/thread-841262-1-1.html |
| SiC MOSFET碳化硅半導體柵極驅動(dòng)以及SiC柵極驅動(dòng)器示例 - 電子工程網(wǎng) http://selenalain.com/thread-838162-1-1.html |
