![]() ![]() ASC300N1200MEP2B碳化硅模塊(Easy 2B)特點(diǎn) 1. 采用先進(jìn)的真空回流焊工藝,Al2O3絕緣陶瓷,最高工作結溫150℃; 2. 高功率密度,低寄生電感,低開(kāi)關(guān)損耗; 3. 適用高溫、高頻應用; 4. 集成NTC溫度傳感器,易于系統集成。 |
集成NTC溫度傳感器,易于系統集成。 |
SICMOS管 ,sic模塊車(chē)載OBC,光伏逆變,風(fēng)能等新能源行業(yè)大量采用 |
碳化硅(SiC)現在作為一種成熟的技術(shù),在從瓦特到兆瓦功率范圍的很多應用中改變了電力行業(yè),覆蓋工業(yè)、能源和汽車(chē)等眾多領(lǐng)域。 |
SiC 功率電子器件的主要優(yōu)點(diǎn)是開(kāi)關(guān)頻率高、導通損耗低、效率更高且熱管理系統更簡(jiǎn)單。 |
碳化硅MOS耐壓650V-1200V-1700V-3300V 國產(chǎn)https://pan.baidu.com/s/1CDHqtHi3UZ0gTD4qqppY0A提取pvgr |
FF6MR12W2M1P_B11 拼to拼 |
高功率密度,低寄生電感,低開(kāi)關(guān)損耗 |
碳化硅MOS柵極驅動(dòng)原理圖http://selenalain.com/thread-838162-1-1.html |
頂起 |
碳化硅MOS具有寬帶隙、高擊穿電場(chǎng)強度、高電流密度、快速開(kāi)關(guān)速度、低導通電阻和抗輻射性能等獨特特點(diǎn),在電子器件領(lǐng)域有著(zhù)廣泛的應用。 |
碳化硅MOS(SiC MOSFET)特性 - 無(wú)源器件/分立半導體 - 電子工程網(wǎng) http://selenalain.com/thread-841262-1-1.html |
碳化硅MOSFET驅動(dòng)設計合訂本 https://pan.baidu.com/s/1IGOLO2oMVZ1wYF80zFcc9g提取碼uspc![]() |