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全新1200 V器件提供領(lǐng)先市場(chǎng)的導通和開(kāi)關(guān)性能 安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON）推出一系列全新超高能效1200V絕緣柵雙極型晶體管（IGBT），具備業(yè)界領(lǐng)先的性能水平，最大程度降低導通損耗和開(kāi)關(guān)損耗。這些新器件旨在提高快速開(kāi)關(guān)應用能效，將主要用于能源基礎設施應用，如太陽(yáng)能逆變器、不間斷電源（UPS）、儲能和電動(dòng)汽車(chē)充電電源轉換。 
新的1200V溝槽型場(chǎng)截止（FS7）IGBT在高開(kāi)關(guān)頻率能源基礎設施應用中用于升壓電路提高母線(xiàn)電壓，及逆變回路以提供交流輸出。FS7器件的低開(kāi)關(guān)損耗可實(shí)現更高的開(kāi)關(guān)頻率，從而減少磁性元件的尺寸，提高功率密度并降低系統成本。對于高功率能源基礎設施應用，FS7器件的正溫度系數使其能夠輕松實(shí)現并聯(lián)運行。 安森美高級副總裁兼電源方案部先進(jìn)電源分部總經(jīng)理Asif Jakwani說(shuō)：“由于能效在所有高開(kāi)關(guān)頻率的能源基礎設施應用中極為關(guān)鍵，所以我們專(zhuān)注于降低關(guān)斷損耗，這新系列的IGBT提供極佳的開(kāi)關(guān)性能，其業(yè)界領(lǐng)先的性能使設計人員能夠在要求非常高的高功率能源基礎設施應用中滿(mǎn)足最具挑戰的能效要求�！� FS7器件包括高速（S系列）和中速（R系列）版本。所有器件都含一個(gè)優(yōu)化的二極管，實(shí)現低VF，減少開(kāi)關(guān)損耗，可在高達175℃的結溫（TJ）下工作。S系列器件如FGY75T120SWD的開(kāi)關(guān)性能領(lǐng)先市場(chǎng)現有1200V IGBT。經(jīng)7倍額定電流的測試，這種高可靠性的IGBT產(chǎn)品展現出出類(lèi)拔萃的抗閂鎖能力。R系列針對以導通損耗為主的中速開(kāi)關(guān)應用如電機控制和固態(tài)繼電器進(jìn)行了優(yōu)化。 FGY100T120RWD在100 A時(shí)VCESAT低至1.45V，比前一代器件降低了0.4V。 FS7器件可采用TO247-3L, TO247-4L, Power TO247-3L等封裝，也可提供裸片，為設計人員提供靈活性和設計備選配置。 |
