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RAID控制卡的日志存儲器存放重要數據，如日志和數據寫(xiě)入完成、奇偶校驗寫(xiě)入、錯誤日志等。在斷電的情況下，控制器查詢(xún)日志內存，以了解從哪里開(kāi)始恢復。日志內存中的數據即使在斷電的情況下，也必須保留。電池供電的SRAM或nvSRAM主要被用作日志內存。MRAM是非易失性存儲器，提供快速寫(xiě)入和實(shí)時(shí)數據存儲，是RAID系統最理想的存儲器。 MRAM與SRAM不同，無(wú)需電壓控制器、電池及電池插座，與nvSRAM不同，無(wú)需電容器，保證突發(fā)斷電時(shí)的安全，恢復時(shí)間短，長(cháng)期數據保存（10年），近乎無(wú)限的耐用性（100兆次的寫(xiě)入次數），寫(xiě)入速度快等優(yōu)點(diǎn)。 英尚提供的 STT-MRAM兼具非易失、幾乎無(wú)限的耐用、高速度、高密度、低耗等各種優(yōu)良特性，所以被認為是電子設備中的理想存儲器。與現有的靜態(tài)存儲器SRAM、動(dòng)態(tài)存儲器DRAM和快閃存儲器Flash相比，MRAM性能都足非常優(yōu)秀的。對于需要使用最少數量的引腳來(lái)快速存儲、檢索數據和程序的應用程序而言，是最為理想的存儲器。 |
