BMS系統應用MRAM存儲芯片-S3A1004

發(fā)布時(shí)間:2023-7-3 16:32    發(fā)布者:英尚微電子
關(guān)鍵詞: MRAM , S3A1004 , Netsol , 解決方案
    BMS是一個(gè)極其復雜的系統,不同的行業(yè)BMS也不一樣,涉及機到的芯片也不同。產(chǎn)品包含MOSFET, 驅動(dòng)芯片,CAN收發(fā)器,MCU,傳感器,轉換器,電源管理芯片,安全和存儲芯片等。英尚微介紹一款應用在BMS系統上的非易失性存儲MRAM芯片S3A1004。

    S3A1004該設備是一個(gè)自旋轉移力矩磁阻隨機存取存儲器(STT-MRAM)。容量為1Mbit它具有SPI總線(xiàn)接口、XIP(就地執行)功能和基于硬件/軟件的數據保護機制。SPI(串行外圍接口)是一個(gè)具有命令、地址和數據信號的同步串行通信接口。

    與并行接口相比,它需要更少的引腳數,并且易于在系統上進(jìn)行配置?梢匀〈哂邢嗤δ芎头且资缘拈W存、FeRAM或(nv)SRAM。該設備提供各種SPI/SSPI/DSPI/QSPI等模式,以允許帶寬擴展選項。

    Netsol的MRAM具有非易失特性和幾乎無(wú)限的耐用性。當電源中斷時(shí),可以立即捕獲并保存關(guān)鍵數據。非常適合任務(wù)關(guān)鍵型數據記錄應用,如需要高可靠性控制和吞吐量的高性能可編程邏輯控制器(PLC),或增強生命的患者監測設備和BMS(電池管理系統)持續確認電池狀態(tài)。數據記錄是如下持續、反復地將重要數據保存于設備的過(guò)程。因需要持續、反復地保存數據,內存需要快速的寫(xiě)入速度與高耐久性。還可替代 Flash、FeRAM 、nvSRAM等,具有卓越的性能和非易失特性。
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