大聯(lián)大旗下世平推出基于安森美（onsemi）NTBG022N120M3S和NCD57084產(chǎn)品的電動(dòng)汽車(chē)（EV）充電樁方案。
圖示1-大聯(lián)大世平基于onsemi產(chǎn)品的電動(dòng)汽車(chē)（EV）充電樁方案的實(shí)體圖 隨著(zhù)電動(dòng)汽車(chē)在全球的滲透率逐漸提升，充電樁的需求也大幅激增。然而由于EV充電樁的用電量動(dòng)輒高達數百KW，因此要格外注意用電的品質(zhì)及效率，否則勢必會(huì )造成電力供應問(wèn)題。在這種情勢下，大聯(lián)大世平基于安森美（onsemi）NTBG022N120M3S SiC MOSFET和NCD57084隔離驅動(dòng)IC推出電動(dòng)汽車(chē)（EV）充電樁方案，可適用于600V~900VDC（Max）及6KW輸出的EV充電樁產(chǎn)品。
圖示2-大聯(lián)大世平基于onsemi產(chǎn)品的電動(dòng)汽車(chē)（EV）充電樁方案的場(chǎng)景應用圖 NTBG022N120M3S是onsemi旗下1200V SiC MOSFET，其針對快速開(kāi)關(guān)應用進(jìn)行優(yōu)化，Rds_on（Max）為30mohm@18V（Vgs），柵極電荷Qg(tot)為151nC、容抗Coss為146 pF，該器件適合應用在高電壓、大電流及高速切換的操作條件，Vgs（閘源極）最大電壓范圍為-10V-至+22V，憑借這些特性，使得該產(chǎn)品能夠在開(kāi)關(guān)操作中具有低功耗、高效率和高溫穩定性。 NCD57084是一款高電流單通道IGBT柵極驅動(dòng)器，具有2.5kVrms內部電流隔離，專(zhuān)為高功率應用而設計，具有高系統效率和可靠性。該驅動(dòng)器采用SOIC-8封裝，具有軟關(guān)斷和故障報告檢測功能。此外，該產(chǎn)品還具有低輸出阻抗，可用于增強型IGBT驅動(dòng)，提供3.3V至20V寬輸入偏置電壓范圍和信號電平，以及高達30V的寬輸出偏置電壓范圍，支持+7A/-7A高峰值輸出電流。不僅如此，該器件傳播延遲時(shí)間短，可以做到精準匹配，并且UVLO閾值小，能夠實(shí)現偏置靈活性。 除此之外，方案中還配備高效率輔助電源及DC-DC轉換器，可進(jìn)一步提升EV充電樁的充電效率及可靠性。
圖示3-大聯(lián)大世平基于onsemi產(chǎn)品的電動(dòng)汽車(chē)（EV）充電樁方案的方塊圖 在汽車(chē)電動(dòng)化的熱潮下，EV充電樁也將迎來(lái)黃金發(fā)展時(shí)期，對此大聯(lián)大世平將結合自身豐富的技術(shù)經(jīng)驗與onsemi共同加深方案整合能力，為電動(dòng)汽車(chē)發(fā)展賦能。 核心技術(shù)優(yōu)勢： NTBG022N120M3S（1200V，SiC MOSFET）onsemi第三代半導體碳化硅MOSFET： 1200V SiC MOSFET； Rds_on（Max）=30mohm@18V（Vgs）； Gate Charge Qg（tot）=151nC； 容抗Coss=146pF，適合應用在高電壓，大電流及高速切換等操作條件； Vgs（閘源極）最大電壓范圍為-10V至+22V； 建議Vgs sop操作電壓-3V至+18V。 NCD57084 onsemi IGBT隔離驅動(dòng)IC： 具有可程式設計延遲的DESAT保護； 負電壓（低至-9V）能力，適用于DESAT； 短路期間的IGBT柵極箝位； IGBT柵極有源下拉； IGBT短路期間軟關(guān)斷； 嚴格的UVLO準位，實(shí)現偏差Bias靈活性； UVLO/DESAT期間的輸出部分脈沖回避（重新啟動(dòng)）； 3.3V、5V和15V邏輯電壓準位輸入； 2.5kVrms電壓； 高瞬態(tài)抗擾度； 高電磁抗擾度。 高效率輔助電源及DC-DC轉換器： 在此開(kāi)發(fā)板中，一次側驅動(dòng)電路是由外部電源提供，規格為12V/1A，二次側由NCV3064 IC組成高效率輔助電源，提供+12V至+18V，-3.5VDC電壓供驅動(dòng)電路使用。 方案規格： 輸入電壓：600V to 800VDC（最大可允許900VDC）； 輸出功率：6KW； 輸出電壓：600V； 輸出電流：10A； 操作頻率：50KHZ。 |
| 碳化硅MOS耐壓650V-3300V和SiC模塊產(chǎn)品簡(jiǎn)介https://pan.baidu.com/s/1EYxb29Lv-hLx9gt2K3Wuiw 提取碼x913 |
