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—降低插入損耗，改善高頻信號傳輸特性— 東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（“東芝”）推出采用小巧纖薄的WSON4封裝的光繼電器“TLP3475W”。它可以降低高頻信號中的插入損耗，并抑制功率衰減，適用于使用大量繼電器且需要實(shí)現高速信號傳輸的半導體測試設備的引腳電子器件。該產(chǎn)品于近日開(kāi)始支持批量出貨。 
TLP3475W采用了東芝經(jīng)過(guò)優(yōu)化的封裝設計，這有助于降低新型光繼電器的寄生電容和電感。降低插入損耗的同時(shí)還可將高頻信號的傳輸特性提高到20GHz（典型值）——與東芝現有產(chǎn)品TLP3475S相比，插入損耗降低了約1/3[2]。 TLP3475W采用厚度僅為0.8mm（典型值）的小巧纖薄的WSON4封裝，是目前業(yè)界最小的[3]光繼電器，其成功的改善了高頻信號傳輸特性。它的厚度比東芝的超小型S-VSON4T封裝還薄40%，且支持在同一電路板上貼裝更多產(chǎn)品，將有助于提高測量效率。 東芝將繼續擴大其產(chǎn)品線(xiàn)，為更高速和更強大功能的半導體測試設備提供支持。 S21插入損耗特性 應用： - 半導體測試設備（高速存儲器測試設備、高速邏輯測試設備等） - 探測卡 - 測量設備 特性： - 業(yè)界最小的[3]WSON4封裝：1.45mm×2.0mm（典型值），厚度＝0.8mm（典型值） - 改善高頻信號的傳輸：當插入損耗（S21）＝–3dB時(shí)，f＝20GHz（典型值） - 常開(kāi)功能（1-Form-A） 主要規格： （除非另有說(shuō)明，Ta＝25℃）
[1] 當頻段范圍在幾百兆赫茲至上萬(wàn)兆赫茲時(shí)。 [2] 信號通過(guò)輸出MOSFET時(shí)功率衰減比（插入損耗）為–3dB的頻段。 [3] 適用于光繼電器。截至2023年10月的東芝調查。 如需了解有關(guān)新產(chǎn)品的更多信息，請訪(fǎng)問(wèn)以下網(wǎng)址： TLP3475W https://toshiba-semicon-storage. ... etail.TLP3475W.html 如需了解相關(guān)東芝光繼電器的更多信息，請訪(fǎng)問(wèn)以下網(wǎng)址： 光繼電器（MOSFET輸出） https://toshiba-semicon-storage. ... -mosfet-output.html 如需了解相關(guān)新產(chǎn)品在線(xiàn)分銷(xiāo)商網(wǎng)站的供貨情況，請訪(fǎng)問(wèn)以下網(wǎng)址： TLP3475W https://toshiba-semicon-storage. ... heck.TTLP3475W.html | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
