東芝推出高速導通小型光繼電器,可縮短半導體測試設備的測試時(shí)間

發(fā)布時(shí)間:2025-2-20 18:08    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 光繼電器 , 半導體測試 , TLP3414S , TLP3431S
東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社(“東芝”)今日宣布,最新推出采用S-VSON4T[1]封裝的光繼電器——“TLP3414S”與“TLP3431S”,具有比東芝現有產(chǎn)品更快的導通時(shí)間[2]。TLP3414S與TLP3431S的斷態(tài)輸出端電壓和通態(tài)電流額定值分別為40 V/250 mA和20 V/450 mA。該產(chǎn)品于今日開(kāi)始支持批量出貨。



新型光繼電器通過(guò)提高輸入側紅外LED的光輸出并優(yōu)化光電探測器(光電二極管陣列)的設計,可實(shí)現高效的光耦合,將導通時(shí)間最大值縮短至150 μs。TLP3414S的導通時(shí)間比東芝現有產(chǎn)品TLP3414縮短約50 %,TLP3431S的導通時(shí)間比東芝現有產(chǎn)品TLP3431縮短約62 %。

此外,當輸出打開(kāi)時(shí),這兩款產(chǎn)品的導通電阻會(huì )影響信號衰減(TLP3414S:最大值3 Ω,TLP3431S:最大值1.2 Ω);當輸出關(guān)閉時(shí),輸出電容會(huì )影響高頻信號泄漏(兩款產(chǎn)品均為典型值6.5 pF)。新產(chǎn)品與東芝現有產(chǎn)品[2]相當,確保了穩定的信號傳輸。

新產(chǎn)品適用于半導體測試設備中的引腳電子[3]應用,可在開(kāi)關(guān)信號的同時(shí)以高精度高速測量待測設備(DUT)。

新產(chǎn)品由于采用小型S-VSON4T封裝,與東芝現有產(chǎn)品的VSON4封裝[4]相比表貼面積減少了約20 %,有助于實(shí)現半導體測試設備和其他設備的小型化。

東芝將繼續提供更多高性能產(chǎn)品,以滿(mǎn)足半導體測試設備對更高性能和更快速度的需求。

        應用:
-        半導體測試設備(高速存儲器測試設備、高速邏輯測試設備等)
-        探測卡
-        測量設備

        特性:
-        高速導通時(shí)間:tON=150 μs(最大值)
-        低導通電阻:
TLP3414S RON=3 Ω(最大值)
TLP3431S RON=1.2 Ω(最大值)
-        小型S-VSON4T封裝:1.45 mm×2.0 mm(典型值),厚度=1.3 mm(典型值)

        主要規格:
(除非另有說(shuō)明,Ta=25 °C)

器件型號
TLP3431S
東芝封裝名稱(chēng)
S-VSON4T

尺寸(mm)
1.45í2.0(典型值),
 
厚度=1.3(典型值)
觸點(diǎn)類(lèi)型
1-Form-A
(常開(kāi))
斷態(tài)輸出端電壓VOFF(V)
40
20

通態(tài)電流ION(mA)250
450

通態(tài)電流(脈沖)IONP(mA)750
1350

工作溫度Topr(°C)
–40至110

隔離電壓BVS(Vrms)AC,60 s,
500
 
R.H.≤60 %
觸發(fā)LED電流IFT(mA)最大值
3

導通電阻RON(Ω)典型值2
0.8

最大值3
1.2

輸出電容COFF(pF)典型值
6.5

導通時(shí)間tON(μs)最大值
150[5]

關(guān)斷時(shí)間tOFF(μs)
100[5]

庫存查詢(xún)與購買(mǎi)在線(xiàn)購買(mǎi)



注:
[1] S-VSON4T封裝:1.45 mm×2.0 mm(典型值)
[2] 東芝現有產(chǎn)品TLP3414(額定值40 V/250 mA)和TLP3431(額定值20 V/450 mA),采用VSON4封裝
[3] 引腳電子(PE):用于向待測設備(DUT)提供電源和測試信號,并判斷DUT的輸出信號的一種接口電路
[4] VSON4封裝:1.45 mm×2.45 mm(典型值)
[5] TLP3414S的測試條件:RL=200 Ω、VDD=20 V、IF=5 mA,TLP3431S:RL=200 Ω、VDD=10 V、IF=5 mA

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