英飛凌科技股份公司宣布其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET模塊系列新添全新工業(yè)標準封裝產(chǎn)品。其采用成熟的62 mm 器件半橋拓撲設計并基于新推出的增強型M1H 碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)。該封裝使SiC能夠應用于250 kW以上的中等功率等級應用，而傳統IGBT硅技術(shù)在這一功率等級應用的的功率密度已達極限值。相比傳統的62mm IGBT 模塊，其應用范圍現已擴展至太陽(yáng)能、服務(wù)器、儲能、電動(dòng)汽車(chē)充電樁、牽引、商用感應電磁爐和功率轉換系統等。
英飛凌推出采用62 mm封裝的CoolSiC MOSFET產(chǎn)品組合 增強型M1H技術(shù)能夠顯著(zhù)拓寬柵極電壓窗口，即使在高開(kāi)關(guān)頻率下，不需任何限制，也能確保柵極應對驅動(dòng)器和布局引起的感應電壓尖峰的高可靠性。此外，極低的開(kāi)關(guān)損耗和傳輸損耗可以最大限度地降低冷卻需求。結合高反向電壓，這些半導體器件還可滿(mǎn)足現代系統設計的另一項要求。借助英飛凌CoolSiC芯片技術(shù)，轉換器的設計可以變得更有效率，單個(gè)逆變器的額定功率得以進(jìn)一步提高，從而降低整體系統成本。 配備銅基板和螺紋接口，該封裝具有高魯棒性的機械設計，可提高系統可用性、降低服務(wù)成本和減少停機損失。通過(guò)強大的熱循環(huán)能力和150°C的連續運行結溫（Tvjop）實(shí)現出色的可靠性。其對稱(chēng)的內部封裝設計使得上下開(kāi)關(guān)具有相同的開(kāi)關(guān)條件�？梢赃x裝預涂熱界面材料（TIM），進(jìn)一步提高模塊的熱性能。 供貨情況 采用62mm封裝的1200 V CoolSiC MOSFET有5 mΩ/180 A、2 mΩ/420 A和1 mΩ/560 A三種型號可供選擇。2000 V產(chǎn)品組合將包含4 mΩ/300 A和3 mΩ/400 A兩種型號。1200 V/3 mΩ和2000 V/5 mΩ型號將于2024 年一季度推出。它還有專(zhuān)為快速特性評估（雙脈沖/連續工作）設計的評估板可供選擇。為了便于使用，該評估板還提供可靈活調整的柵極電壓和柵極電阻，同時(shí)還可作為批量生產(chǎn)驅動(dòng)板的參考設計使用。了解更多信息，請訪(fǎng)問(wèn) www.infineon.com/SiC。 如需進(jìn)一步了解英飛凌在提高能源效率方面做出的貢獻，請訪(fǎng)問(wèn)：www.infineon.com/green-energy。 |
