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來(lái)源：IT之家 荷蘭半導體制造設備巨頭 ASML 前天剛剛展示了其下一代高數值孔徑 (High-NA) 極紫外 (EUV) 光刻機，還透露其 High-NA Twinscan EXE 光刻機的價(jià)格約為 3.5 億歐元（IT之家備注：當前約 27.16 億元人民幣）。相比之下，現有的 EUV 光刻機價(jià)格約為 1.7 億歐元（當前約 13.19 億元人民幣），當然具體價(jià)格要取決于具體型號和配置。 此外，ASML 還告訴路透社，該公司截至目前已收到包括英特爾和 SK 海力士在內數家公司的“10 到 20”個(gè)訂單，并計劃到 2028 年每年生產(chǎn) 20 臺。 
ASML 的 High-NA Twinscan EXE 光刻機代表了該公司技術(shù)的巔峰，每臺設備重達 150,000 公斤，相當于兩架空客 A320 客機，需要 250 個(gè)集裝箱運輸，運到客戶(hù)手里后還要再由 250 名工程師花費六個(gè)月的時(shí)間組裝。 即將推出的 High-NA EUV Twinscan EXE 光刻機能夠實(shí)現 8nm 的分辨率，而現機器只能通過(guò)單次曝光達到 13nm 的分辨率，這使得下一代晶體管尺寸將縮小約至 1.7 分之 1，晶體管密度增加近三倍，對 3nm 以下工藝至關(guān)重要，而這也是業(yè)界在 2025 年至 2026 年之間希望達到的目標。
當然，現有 EUV 光刻機也可以實(shí)現同樣的分辨率和晶體管密度，但它們需要采用更昂貴的材料和更復雜的雙 / 多重曝光技術(shù)，而采用 High-NA EUV 技術(shù)則可以簡(jiǎn)化生產(chǎn)流程、提高良率并有效降低成本。 不同的芯片制造商對部署 High-NA EUV 機器的規劃也不同，例如英特爾就計劃在其后 18A 工藝中使用 High-NA EUV 光刻機，而臺積電則會(huì )采取更謹慎的做法，預計將在 2030 年左右才會(huì )將其用于 1nm 級節點(diǎn)（未確認具體時(shí)間）。 |
