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來(lái)源: 華爾街見(jiàn)聞官方 為了奪回昔日半導體50.3%市占率的領(lǐng)先地位，且不被海外競爭者“卡脖子”，日本“痛下決心”狂砸670億美元吸引全球先進(jìn)半導體公司來(lái)日本建廠(chǎng)，并試圖量產(chǎn)2納米高端芯片重新領(lǐng)跑全球。 2月21日，據媒體報道，首相岸田文雄計劃在私營(yíng)部門(mén)的支持下，將半導體產(chǎn)業(yè)的財政支持提高到10萬(wàn)億日元（約670億美元）。日本政府的另一個(gè)目標是到2030年將日本國產(chǎn)芯片銷(xiāo)售額提高兩倍，達到15萬(wàn)億日元以上（約1080億美元）。同時(shí)，日本啟動(dòng)Rapidus項目，計劃在2027年大規模生產(chǎn)最先進(jìn)的2納米芯片。 截止目前，在不到三年的時(shí)間里，日本已經(jīng)撥款約4萬(wàn)億日元（267億美元）用于支持半導體產(chǎn)業(yè)。臺積電等半導體制造商紛紛在日本建廠(chǎng)，日本晶圓廠(chǎng)建設速度全球最快。 芯片生產(chǎn)對全球各國具有重大的戰略意義，先進(jìn)半導體芯片作為十幾項關(guān)鍵技術(shù)的基礎，包括人工智能、武器系統和電動(dòng)汽車(chē)，對現代技術(shù)領(lǐng)域至關(guān)重要。 包括日本在內的各國政府已經(jīng)意識到了這點(diǎn)，日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省經(jīng)濟安全政策主任官Kazumi Nishikawa說(shuō)：“為什么我們如此重視芯片？因為半導體供應鏈的穩定對全球經(jīng)濟至關(guān)重要，一旦芯片供應中斷，經(jīng)濟將會(huì )崩潰”。 日本意圖“絕地反擊” 重拾半導體產(chǎn)業(yè)榮光 日本半導體行業(yè)的市占率從1988年的50.3%大幅下滑到2019年不足10%，在科技飛速發(fā)展的40年間折戟。2022年日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)大臣萩生田光一公開(kāi)表示，日本半導體的衰落有美國等對手的打壓和反擊，但更多的還是日本自己戰略和戰術(shù)犯了錯誤，才導致行業(yè)的衰退和野心的挫敗。 日本自20世紀80年代以來(lái)在全球半導體領(lǐng)先地位被超越后“痛定思痛”，決定將截至2030年半導體產(chǎn)業(yè)的復興分為三個(gè)階段：（1）加快半導體生產(chǎn)的基礎設施建設。（2）合作開(kāi)發(fā)下一代半導體技術(shù)。（3）立足已有技術(shù)，研發(fā)具有顛覆性的半導體技術(shù)。 與此同時(shí)，日本的新芯片戰略有兩條主線(xiàn)，即傳統芯片制造和高端芯片“兩手抓”。 1）高端芯片：3nm是目前半導體最為先進(jìn)的制程，而日本宣揚到2027年要量產(chǎn)2nm芯片。據媒體報道，日本“雄心勃勃”地在北海道啟動(dòng)Rapidus項目，計劃在2027年大規模量產(chǎn)最先進(jìn)的2nm芯片，意圖在高端芯片市場(chǎng)“領(lǐng)跑”全球。 該項目引發(fā)了市場(chǎng)的質(zhì)疑，因為在一個(gè)在半導體生產(chǎn)上遠遠落后于海外競爭對手的國家里，Rapidus是日本一家僅成立18個(gè)月的本土企業(yè)，對于一個(gè)從零開(kāi)始的企業(yè)，生產(chǎn)2nm芯片是一項艱巨的任務(wù)。 但日本卻“如火如荼”地投入心血，據媒體報道，作為Rapidus項目的一部分，IBM公司正在紐約州奧爾巴尼培訓大約100名經(jīng)驗豐富的日本工程師，以幫助他們快速掌握美國高端芯片專(zhuān)業(yè)知識。 2）傳統芯片制造：日本計劃重新成為傳統芯片制造的領(lǐng)導者。為了吸引外國半導體公司在日本設立生產(chǎn)基地，日本政府愿意提供最高達到新廠(chǎng)設立成本50%的財政補貼。傳統芯片雖然可能不像最新一代的芯片那樣具有高度的技術(shù)復雜性，但在許多應用中仍然非常重要，比如汽車(chē)、工業(yè)設備等領(lǐng)域。 此外，日本提供大量稅收減免來(lái)支持外國公司建廠(chǎng)。日本實(shí)行了50多年的長(cháng)期法規也被放寬：允許在農業(yè)和林地建設高科技工廠(chǎng)，包括半導體和電池工廠(chǎng)。 截止目前，日本該戰略已經(jīng)取得了階段性成功。受益于日本大力的財政補貼，臺積電認為日本資助的芯片項目可以比在美國或其他國家更快地啟動(dòng)。據媒體報道，在日本，旨在“重建半導體產(chǎn)業(yè)”的價(jià)值70億美元的臺積電熊本工廠(chǎng)預計于周六竣工。 該工廠(chǎng)從2021年10月公布建設計劃至今僅兩年零四個(gè)月，對于典型的行動(dòng)緩慢且監管?chē)栏竦娜毡緛?lái)說(shuō)，在短短的20個(gè)月內迅速建廠(chǎng)是日本非�？斓膲雅e，體現了日本政府的全力支持。同時(shí)臺積電在日本的第二家工廠(chǎng)也即將建立，第三家工廠(chǎng)正處于商討階段。 日本政府補貼速度領(lǐng)先全球 日本補貼的速度與美國和韓國形成鮮明對比。2022年，美國總統拜登正式簽署《芯片與科學(xué)法案》，該法案擬撥出高達390億美元的直接撥款補貼。然而過(guò)去了一年多的時(shí)間，拜登政府還沒(méi)有向像臺積電或英特爾這樣的主要芯片制造商發(fā)放任何補貼，這也導致臺積電數次延產(chǎn)來(lái)與美國政府談判。第一個(gè)15億美元的補貼直到本周才公布。 在韓國，韓國SK海力士在龍仁市的半導體項目自2019年2月選址后尚未開(kāi)始施工，原計劃2022年啟動(dòng)，卻因地方反對、土地補償和供水許可問(wèn)題而多次延誤。即使明年開(kāi)工，耗時(shí)也近8年時(shí)間。 日本晶圓廠(chǎng)建設速度非常驚人遠超其他國家。安全與新興技術(shù)中心(CSET) 的一份報告指出，日本晶圓廠(chǎng)建設速度全球最快，美國速度倒數。CSET研究指出，在1990年至2020年期間全球共建設了635座晶圓廠(chǎng)，從建設到投產(chǎn)的平均時(shí)間為682天。其中，日本最快為584天，韓國緊隨其后為620天。歐洲和中東地區的天數大致持平，為690天。美國倒數為736天，遠慢于全球平均速度，僅次于東南亞的781天。 |
