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來(lái)源：IT之家 據韓媒 Chosunbiz 報道，三星電子近日在背面供電網(wǎng)絡(luò )（BSPDN）芯片測試中獲得了好于預期的成果，有望提前導入未來(lái)制程節點(diǎn)。 傳統芯片采用自下而上的制造方式，先制造晶體管再建立用于互連和供電的線(xiàn)路層。但隨著(zhù)制程工藝的收縮，傳統供電模式的線(xiàn)路層越來(lái)越混亂，對設計與制造形成干擾。 BSPDN 技術(shù)將芯片供電網(wǎng)絡(luò )轉移至晶圓背面，可簡(jiǎn)化供電路徑，解決互連瓶頸，減少供電對信號的干擾，最終可降低平臺整體電壓與功耗。對于三星而言，還特別有助于移動(dòng)端 SoC 的小型化。 
▲ BSPDN 背面供電網(wǎng)絡(luò )示意圖。圖源 imec 參考韓媒報道，三星電子在測試晶圓上對兩種不同的 ARM 內核設計進(jìn)行了測試，在芯片面積上分別減小了 10% 和 19%，同時(shí)還獲得了不超過(guò) 10% 的性能、頻率效率提升。 Chosunbiz 稱(chēng)，三星此前考慮在 2027 年左右的 1.7nm（IT之家注：此處存疑，以往報道中為 1.4nm）工藝中實(shí)現背面供電技術(shù)的商業(yè)化，但由于目前超額完成了開(kāi)發(fā)目標，預計將修改路線(xiàn)圖，最早在明年推出的 2nm 中應用。 三星電子的兩大競爭對手臺積電和英特爾也積極布局背面供電領(lǐng)域：其中英特爾將于今年的 20A 節點(diǎn)開(kāi)始推出其 BSPDN 實(shí)現 PowerVia；而根據科技博客 More Than Moore 消息，臺積電預計將在 2025 年推出標準 N2 節點(diǎn)后 6 個(gè)月左右發(fā)布對應的背面供電版本。
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