德州儀器正在將GaN半導體生產(chǎn)工藝向8英寸過(guò)渡

發(fā)布時(shí)間:2024-3-6 10:11    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 德州儀器 , GaN
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據報道,德州儀器正在將GaN(氮化鎵)生產(chǎn)工藝從6英寸向8英寸過(guò)渡,以提高產(chǎn)能、獲得成本優(yōu)勢。

德州儀器韓國總監Ju-Yong Shin表示,公司傳統上采用6英寸工藝生產(chǎn)氮化鎵半導體,達拉斯工廠(chǎng)有望在2025年之前過(guò)渡到8英寸工藝,日本會(huì )津工廠(chǎng)則正在將現有的硅基8英寸產(chǎn)線(xiàn)轉換為GaN半導體產(chǎn)線(xiàn)。

據了解,德州儀器最近正在將其6英寸生產(chǎn)工藝轉為8英寸,將8英寸生產(chǎn)工藝轉為12英寸,以提高生產(chǎn)效率。8英寸晶圓的面積是6英寸晶圓的1.78倍,因此可以生產(chǎn)更多的半導體。12英寸晶圓的面積是8英寸晶圓的2.25倍。

Ju-Yong Shin表示,德州儀器傳統上采用6英寸工藝生產(chǎn)氮化鎵半導體,達拉斯工廠(chǎng)有望在2025年之前過(guò)渡到8英寸工藝。
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