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根據DIGITIMES Research的觀(guān)察，目前市面上的主流應用處理器多采用40、45nm工藝，而由于晶圓代工廠(chǎng)先進(jìn)工藝量產(chǎn)時(shí)程不斷延后，應用處理器廠(chǎng)商只得順著(zhù)代工廠(chǎng)的腳步調整產(chǎn)品推出時(shí)程。目前來(lái)看，32nm產(chǎn)品在成熟度以及良率方面較28nm高，從而影響部份應用處理器廠(chǎng)商的產(chǎn)品推出計劃，預計2012年下半年后才有機會(huì )導入28nm。 DIGITIMES Research分析師林宗輝觀(guān)察分析，由臺積電主導的28nm代工版圖，雖仍屬業(yè)界最快，但進(jìn)展并不算非常順利，截至目前為止，28nm且基于HKMG(High-K Metal Gate)的工藝成熟度仍相當低，官方預估良率不及5%，配合產(chǎn)品開(kāi)發(fā)時(shí)程，大多都要到2012下半年才有機會(huì )導入。 因此，在CES 2012上，多數應用處理器供應商只能展出現有的主力產(chǎn)品，無(wú)法在先進(jìn)工藝方面搶得先機。而雖然高通搶先導入28nm，但為了確保良率可接受，因此改采其無(wú)HKMG，與前代40nm同樣的SION工藝。 但在32nm方面，IBM晶圓代工陣營(yíng)中，包括Global Foundries及三星都已經(jīng)擁有相當的成熟度，良率要遠高出目前的28nm工藝，臺積電為搶時(shí)程，雖推出沒(méi)有HKMG的28nm LP工藝，但其技術(shù)特性并未優(yōu)于32nm HKMG產(chǎn)品，因此乏人問(wèn)津。加上三星在周邊IP搭配的豐富性遠高于臺積電，這也導致蘋(píng)果最終未選擇臺積電作為代工伙伴，而是由三星取得訂單的結果。 28nm HKMG工藝成熟度不佳，讓32nm工藝在2012年有機會(huì )崛起，當然，仍有如高通(Qualcomm)采用非HKMG的28nm LP工藝產(chǎn)品，搶得了市場(chǎng)先機，無(wú)HKMG的28nm LP工藝相較起40nm工藝，雖功耗改進(jìn)幅度有限，但高通藉由設計上的優(yōu)勢略微彌補了不采用HKMG的缺點(diǎn)，這是其他采用Hard IP授權的應用處理器廠(chǎng)商所無(wú)法達到的成果。 因此林宗輝也預估，高通可望在2012上半年成功拓展其包含智能手機以及平板市場(chǎng)的市占率。但由于其在性能與功耗方面采折衷設計，隨著(zhù)對手陣營(yíng)性能較高的標準Cortex-A15核心產(chǎn)品逐漸齊備，高通Krait核心及其延伸所帶來(lái)的產(chǎn)品優(yōu)勢于2012下半年便可能被對手超越。 林宗輝認為，目前28nm工藝緩不濟急，給了32nm工藝相當大的發(fā)揮空間，但為何廠(chǎng)商不一窩蜂投產(chǎn)32nm產(chǎn)品？主要是三星產(chǎn)能需要供應蘋(píng)果，自家應用處理器需求也不低，Global Foundries為滿(mǎn)足AMD的供貨需求，也同樣面臨產(chǎn)能不足的問(wèn)題，因此僅有少數廠(chǎng)商可獲得32nm帶來(lái)的好處。另外，臺積電也曾嘗試投入32nm工藝代產(chǎn)業(yè)務(wù)，但主流32nm HKMG代工廠(chǎng)皆采用Gate-first方式，若要從其競爭者搶得訂單，采用臺積電目前的Gate-last工藝將毫無(wú)意義，但臺積電未能突破Gate-first所帶來(lái)的生產(chǎn)瓶頸，因此最終以失敗告終。 另外，大部份應用處理器廠(chǎng)商本身產(chǎn)品設計時(shí)程腳步不像蘋(píng)果或三星那么快，以最先進(jìn)的Cortex-A15來(lái)說(shuō)，多數廠(chǎng)商都需要到2012下半年才會(huì )導入，且產(chǎn)品規畫(huà)中的工藝決定后若需變更將動(dòng)輒得咎，最壞狀況恐會(huì )影響上市時(shí)程，可能對營(yíng)收產(chǎn)生負面影響。 一般轉換工藝需要約半年以上的轉換測試時(shí)程。蘋(píng)果采用32nm工藝制造其下一代應用處理器，便是有把握其技術(shù)與性能優(yōu)勢能夠維持至少1年以上，無(wú)須急于轉換工藝，臺積電需在此空檔補齊周邊IP，強化整體設計優(yōu)勢，那么2012下半年至2013年上半年仍大有可為。 |
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SanDisk宣布已投產(chǎn)19nm NAND閃存 SanDisk(閃迪)宣布，已于去年底開(kāi)始投產(chǎn)19nm新工藝的NAND閃存芯片，并對此工藝所能帶來(lái)的更好性能、更低成本寄予厚望。SanDisk CEO Sanjay Mehrotra在財務(wù)會(huì )議期間對分析人士表示：“我們在(2011年)第四季度開(kāi)始了19nm技術(shù)(NAND閃存芯片)的生產(chǎn)，將在2012年全面量產(chǎn)。” 他同時(shí)也強調了新工藝面臨的難題，那就是技術(shù)難度日漸提高，對節約成本的貢獻卻沒(méi)那么大了：“正如我們之前解釋過(guò)的，NAND閃存工藝越來(lái)越復雜，技術(shù)轉換所帶來(lái)的成本節省幅度也越來(lái)越小。19nm所能產(chǎn)生的成本降低幅度就會(huì )低于24nm。” 據披露，SanDisk正在使用19nm工藝制造2bpc MLC NAND、3bpc TLC NAND閃存芯片。具體良品率未公開(kāi)，只是說(shuō)正在按預期增加SanDisk的容量產(chǎn)能。 Sanjay Mehrotra也承認，TLC NAND閃存目前并不適合商業(yè)關(guān)鍵企業(yè)應用，而是更適用于消費級固態(tài)硬盤(pán)。這也和OCZ的看法不謀而合。 他說(shuō)：“我們會(huì )尋求將3bpc用在消費級固態(tài)硬盤(pán)上的機會(huì )。企業(yè)固態(tài)硬盤(pán)上，我認為仍將完全是2bpc的天下，畢竟企業(yè)應用都需要高性能、高可靠性�！� SanDisk 2011年第四季度收入15.77億美元(按照GAAP)，毛利潤6.62億美元，營(yíng)業(yè)利潤4.16億美元，同比分別增長(cháng)18.8％、14.9％、 16.5％；全年收入56.62億美元，毛利潤24.39億美元，營(yíng)業(yè)利潤15.30億美元，分別同比增長(cháng)17.3％、7.8％、4.7％。 |
