三星將于2027年推出1.4nm工藝、BSPDN背面供電及硅光子技術(shù)

發(fā)布時(shí)間:2024-6-19 16:44    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 三星 , 1.4nm , BSPDN
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三星晶圓代工部門(mén)近日透露,預計將于2027年推出1.4nm制程工藝、芯片背面供電網(wǎng)絡(luò )(BSPDN)和硅光子技術(shù)。三星于6月13日在美國圣何塞舉行三星代工論壇,透露了該公司在人工智能(AI)時(shí)代的部分路線(xiàn)圖。

三星晶圓代工廠(chǎng)業(yè)務(wù)部門(mén)主管崔時(shí)榮(Siyoung Choi)在主題演講中強調,高性能和低功耗芯片是實(shí)現AI的最重要因素。該公司還推出了一項名為“三星人工智能解決方案”的交鑰匙一站式服務(wù),可以讓客戶(hù)利用三星的晶圓代工、存儲芯片和高級封裝服務(wù)。三星表示,這將簡(jiǎn)化客戶(hù)的供應鏈,并使其產(chǎn)品發(fā)布速度提升20%。該公司透露,在過(guò)去一年時(shí)間內,其AI相關(guān)訂單猛增80%。

此次論壇期間,三星還分享了將在2027年推出硅光子技術(shù)的計劃,這也是三星首次宣布采用硅光子技術(shù)。該技術(shù)在芯片上利用光纖傳輸數據,相比傳統線(xiàn)纜/電路可以大幅提升I/O數據傳輸速度。此外,三星也投資了硅光子技術(shù)公司Celestial AI。

三星表示,采用BSPDN技術(shù)的2nm制程工藝也將于2027年推出。這一時(shí)間晚于其競爭對手英特爾將于2024年推出類(lèi)似技術(shù)的計劃。BSPDN技術(shù)將供電電路設計在晶圓背面,可以避開(kāi)信號線(xiàn),防止相互干擾。該技術(shù)可顯著(zhù)提升芯片功率、性能和面積效率。

三星透露其2nm工藝路線(xiàn)圖:用于移動(dòng)領(lǐng)域的SF2和SF2P將分別于2025年和2026年推出;面向人工智能和高性能計算(HPC)的2nm工藝將于2026年推出,早于BSPDN工藝。該公司還將在2027年推出用于汽車(chē)的2nm工藝。

三星重申,計劃于2027年推出1.4nm工藝,目前正在確保該技術(shù)的性能和良率。該公司計劃于2025年采用ASML High NA EUV光刻機,用于1.4nm制程芯片制造。
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