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來(lái)源：大半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng) 據外媒報道，英特爾周三表示，其名為“Intel 3”的3nm制程技術(shù)已在俄勒岡州和愛(ài)爾蘭工廠(chǎng)開(kāi)始大批量生產(chǎn)，并提供了有關(guān)新生產(chǎn)節點(diǎn)的一些額外細節。 據介紹，新工藝帶來(lái)了更高的性能和更高的晶體管密度，并支持1.2V的超高性能應用電壓。該節點(diǎn)既針對英特爾自己的產(chǎn)品，也針對代工客戶(hù)，將在未來(lái)幾年不斷發(fā)展。 英特爾一直將Intel 3制造工藝定位于數據中心應用，這些應用需要通過(guò)改進(jìn)的晶體管（與Intel 4相比）、降低晶體管通孔電阻的電源傳輸電路以及設計協(xié)同優(yōu)化來(lái)實(shí)現尖端性能。生產(chǎn)節點(diǎn)支持<0.6V低壓以及>1.3V高壓以實(shí)現最大負載。在性能方面，英特爾承諾在相同功率和晶體管密度下，新節點(diǎn)將實(shí)現18%的性能提升。 
目前，英特爾將使用其3nm級工藝技術(shù)制造Xeon 6數據中心處理器。最終，英特爾代工廠(chǎng)將使用該生產(chǎn)節點(diǎn)為客戶(hù)制造數據中心級處理器。除了基礎版的Intel 3，該公司還將提供支持硅通孔并可用作基礎芯片的Intel 3T。未來(lái)，英特爾將為芯片和存儲應用提供功能增強的Intel 3-E，以及可用于各種工作負載/高性能計算（HPC）和通用PC）性能增強的Intel 3-PT。 |
