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飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 現為手機和其它超便攜應用的設計人員提供一款P溝道PowerTrench MOSFET器件，滿(mǎn)足其對具有出色散熱性能的小尺寸電池或負載開(kāi)關(guān)解決方案的需求。 FDMA905P和FDME905PT是具有低導通阻抗的MOSFET，這些器件具有出色的散熱性能和小占位尺寸，也非常適合線(xiàn)性模式應用。要了解更多的信息或訂購樣品，請訪(fǎng)問(wèn)公司網(wǎng)頁(yè)：http://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDMA905P.html, http://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDME905PT.html 
特性和優(yōu)勢 FDMA905P: • 采用2mm x 2mm MicroFET™ 封裝，器件高度 – 最大0.8mm • 確保低RDS(ON) (MAX RDS(ON) = 16mΩ at VGS = -4.5V, ID = -10A) • 具有出色的散熱性能(RΘJA = 52 ℃/W) FDME905PT: • 采用1.6mm x 1.6mm 薄型MicroFET封裝，器件高度 – 最大0.55mm • 確保低 RDS(ON) (MAX RDS(ON) = 22mΩ at VGS = -4.5V, ID = -8A) • 具有出色的散熱性能(RΘJA = 60 ℃/W) FDMA905P和FDME905PT不含鹵化物和氧化銻，滿(mǎn)足RoHS標準的要求。兩款器件均可在低電壓下安全運作，適用于手機和超便攜設備。 價(jià)格：訂購1,000個(gè) FDMA905P 每個(gè)0.29美元 FDME905PT 每個(gè)0.26美元 供貨: 按請求提供樣品 交貨期: 收到訂單后8至12周內 產(chǎn)品的 PDF 格式數據表可從此網(wǎng)址獲�。� http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMA905P.pdf http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDME905PT.pdf |
