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來(lái)源：IT之家 IT之家從復旦大學(xué)高分子科學(xué)系獲悉，該校研究團隊設計了一種新型半導體性光刻膠，利用光刻技術(shù)在全畫(huà)幅尺寸芯片上集成了 2700 萬(wàn)個(gè)有機晶體管并實(shí)現了互連，集成度達到特大規模集成度（ultra-large-scale integration，ULSI）水平。 
▲ （a）光刻膠組成；（b）光刻膠聚集態(tài)結構；（c）在不同襯底上加工的有機晶體管陣列；（d）有機晶體管陣列結構示意圖；（e）與其他方法的像素密度對比 2024 年 7 月 4 日，該成果以《基于光伏納米單元的高性能大規模集成有機光電晶體管》為題發(fā)表于《自然・納米技術(shù)》。 芯片集成度可以分為小規模集成度 (SSI)、中規模集成度 (MSI)、大規模集成度 (LSI)、超大規模集成度 (VLSI) 和特大規模集成度 (ULSI)，此前，有機芯片的制造方法主要包括絲網(wǎng)印刷、噴墨打印、真空蒸鍍、光刻加工等，集成度通常只能達到大規模集成度 (LSI) 水平。 光刻膠又稱(chēng)為光致抗蝕劑，在芯片制造中扮演著(zhù)關(guān)鍵角色，經(jīng)過(guò)曝光、顯影等過(guò)程能夠將所需要的微細圖形從掩模板轉移到待加工基片上，是一種光刻工藝的基礎材料。 復旦團隊設計了一種由光引發(fā)劑、交聯(lián)單體、導電高分子組成的新型功能光刻膠。光交聯(lián)后形成了納米尺度的互穿網(wǎng)絡(luò )結構，兼具良好的半導體性能、光刻加工性能和工藝穩定性。該光刻膠不僅能實(shí)現亞微米量級特征尺寸圖案的可靠制造，而且該圖案本身就是一種半導體，從而簡(jiǎn)化了芯片制造工藝。 光刻制造的有機晶體管互連陣列包含 4500×6000 個(gè)像素，集成密度達到 3.1×106 單元每平方厘米，即在全畫(huà)幅尺寸芯片上集成了 2700 萬(wàn)個(gè)器件，達到特大規模集成度 (ULSI)，其光響應度達到 6.8×106 安培每瓦特，高密度陣列可以轉移到柔性襯底上，實(shí)現了仿生視網(wǎng)膜應用。 |
