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1 引 言 弧焊逆變電源廣泛應用于造船、機械、汽車(chē)、電力、化工、石油、輕工業(yè)、航天、國防工業(yè)等部門(mén)。近年來(lái)大功率電力電子器件IGBT以其獨特的優(yōu)點(diǎn)受到眾多廠(chǎng)家的青睞，并逐步應用于現代弧焊逆變電源中。然而弧焊逆變電源工作環(huán)境惡劣，其負載決定了其工作電流變化劇烈，如果我們對IGBT性能和特點(diǎn)存在模糊認識并且在控制方法和保護技術(shù)等方面未采取有效的措施，則很有可能會(huì )損壞IGBT，從而使人們開(kāi)始懷疑IGBT的質(zhì)量是否真正符合資料上所列出的各項參數。本文針對以上問(wèn)題介紹了一種應用電路硬件保護和單片機控制程序保護相結合的方法來(lái)對IGBT進(jìn)行有效的保護。 2．IGBT 的工作原理 2.1 IGBT結構 IGBT結構上與MOSFET十分相似，只是多了一個(gè) 層，引出作為發(fā)射極，柵極、集電極與MOSFET完全相似。其簡(jiǎn)化等效電路如圖1所示。 
圖1 IGBT的工作原理：IGBT由柵極電壓正負來(lái)控制。當加上正柵極電壓時(shí)，絕緣柵下形成溝道，MOSFET導通，相當于接到E，為PNP晶體管提供了流動(dòng)的基極電流，從而使PNP管（即整個(gè)IGBT）導通。當加上負柵極電壓時(shí)，IGBT工作過(guò)程相反，形成關(guān)斷。 2.2 IGBT安全工作區 在IGBT開(kāi)關(guān)過(guò)程中，大電流和大電壓的重疊造成主要的功耗，同時(shí)承受較高的di/dt和dv/dt即電流電壓應力。特別是運行在PWM硬開(kāi)關(guān)狀態(tài)下，這是影響可靠性的重要原因。為了保證其安全可靠的工作，不僅有電流電壓的限制，還必需使其動(dòng)態(tài)過(guò)程的運行軌跡在安全工作區內。如圖2所示，正偏安全工作區FBSOA是指柵極加正向電壓時(shí)的安全工作區，對應于導通狀態(tài)。三條邊界分別對應允許電流、允許電壓和允許功耗。隨著(zhù)導通時(shí)間增長(cháng)，功耗和溫升增加，安全工作區縮小。
3．IGBT的保護措施 由于其結構和安全工作區知IGBT的可靠與否主要由以下因素決定： 1、柵極與發(fā)射極電壓 2、集電極與發(fā)射極電壓 3、流過(guò)集電極的電流 4、IGBT的結溫 以上的四個(gè)因素在工作環(huán)境惡劣的弧焊逆變電源中都是需要注意的，尤其是第二項和第三項是我們在設計保護電路中重點(diǎn)考慮的內容。 3.1 IGBT柵極的保護 IGBT的柵極－發(fā)射極驅動(dòng)電壓 的保證電壓為 ，因此在IGBT的驅動(dòng)電路應當設置柵極壓限幅電路；另外由于焊接電源設備工作環(huán)境非常惡劣，在運輸或振動(dòng)過(guò)程中可能會(huì )使柵極回路斷開(kāi)，這時(shí)如果電源設備開(kāi)始工作，則隨著(zhù)集電極電位的變化，由于柵極與與集電極和發(fā)射極之間寄生電容的存在，使得柵極電位升高，集電極－發(fā)射極間有電流流過(guò)。這時(shí)若集電極和發(fā)射極處于高壓狀態(tài)時(shí)，會(huì )使IGBT發(fā)熱，極易引起IGBT損壞。為防止此類(lèi)情況發(fā)生，可在IGBT的柵極與發(fā)射極間并接一只
圖3 3.2 集電極與發(fā)射極的過(guò)壓保護弧焊逆變電源進(jìn)入焊接狀態(tài)時(shí)，輸出端即從空載轉入接近短路狀態(tài)，這時(shí)要求輸出電流必須處于所需要的恒定狀態(tài)。理論上，采用恒流閉環(huán)控制系統即可以控制電源的短路電流，但實(shí)際短路時(shí)，輸出電壓很低，即IGBT的工作脈寬很窄，才能保證輸出電流恒定，這就造成了IGBT在很短的導通期間，吸收電容未分放電而馬上關(guān)斷，且因分布電感和漏感的影響，IGBT的關(guān)斷是在承受較高的反壓下進(jìn)行的，極易使IGBT損壞，為了使IGBT 關(guān)斷過(guò)電壓能得到有效的抑制并減少關(guān)斷損耗，需要給IGBT主電路設置關(guān)斷緩沖吸收電路。IGBT的關(guān)斷緩沖吸收電路分為充放電型和放電阻止型，從吸收過(guò)電壓的能力上來(lái)說(shuō)，充放電型效果較好，所以可在弧焊逆變電源中的IGBT過(guò)壓保護緩沖電路可采用圖4所示緩沖吸收電路：
圖4 在此硬件電路的基礎上，結合單片機的控制系統可檢測輸出電壓低于某一設定值時(shí)，單片機便認為負載電弧是處于短路狀態(tài)，這時(shí)單片機便對IGBT的最小脈沖寬度進(jìn)行限制，以保證吸收電容有足夠的放電時(shí)間，從而降低IGBT的關(guān)斷反向電壓。同時(shí)為保證輸出電流恒定，單片機在判斷輸出為短路時(shí)將逆變器的等脈沖寬度調節（PWM）變?yōu)轭l率調節控制（PFM），即脈沖分頻控制，輸出電壓越低，輸出脈沖的頻率越低。其單片機程序過(guò)程如圖5所示：
3.3 過(guò)流保護 過(guò)流對IGBT來(lái)說(shuō)，是產(chǎn)生原因最復雜、發(fā)生次數最多、損壞概率最高的事件，也是國內弧焊逆變電源容易損壞的主要原因。IGBT正常工作時(shí)，導通期間的電流包括開(kāi)通時(shí)的尖峰、折算到原邊的焊接電流和關(guān)斷時(shí)的拖尾電流。在設計IGBT的過(guò)流保護時(shí)，主要可采取以下三條措施：首先選擇IGBT器件時(shí)，使其最大工作電流只占IGBT 的30%左右，其目的就是要使IGBT的安全工作區盡可能在一些，以避免IGBT的擎住效應；其次針對元器件失效等偶發(fā)性故障，如輸出失控、IGBT損壞、功率變壓器擊穿、短路、高頻整流快恢復二極管損壞引起的過(guò)電流行為，應設計保護電路為立即保護型。即保護電路動(dòng)作后，切斷供電電源，停止逆變電源工作；最后，對元器件并沒(méi)有失效，而是由于某種其它原因如負載突然加大造成的過(guò)流，可嘗試采用一種慢降柵壓的電路來(lái)實(shí)現如圖6：
圖6 正常工作時(shí)，因故障檢測二極管3.4 過(guò)熱保護 在焊接工作時(shí)由于工作環(huán)境惡劣，流過(guò)IGBT電流很大，并且開(kāi)關(guān)頻率較高，所以器件的損耗也較大，如果熱量不能及時(shí)散掉，使結溫
4 結語(yǔ) 本文介紹了利用硬件保護電路并結合單片機的程序對弧焊逆變電源中IGBT進(jìn)行保護的方法和措施。該方法不僅從硬件電路上設計了可靠的保護電路，而且還利用單片機的程序來(lái)對設備工作狀態(tài)進(jìn)行判斷后選擇工作方式來(lái)間接對IGBT進(jìn)行保護，這樣不僅保護了IGBT的安全還保證了該電源即使在惡劣的環(huán)境的中也能可靠穩定的工作。所以在實(shí)際應用中只要我們考慮到IGBT的不同容量、型號并參考以上方法采取相應的保護措施就可以達到滿(mǎn)意的效果。 |
