ROHM開(kāi)發(fā)出安裝可靠性高的10種型號、3種封裝的車(chē)載Nch MOSFET,適于汽車(chē)車(chē)門(mén)、座椅等所用的各種電機以及LED前照燈等應用

發(fā)布時(shí)間:2024-8-6 18:32    發(fā)布者:eechina
~符合汽車(chē)電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101,有助于車(chē)載應用的高效運行和小型化~

ROHM(總部位于日本京都市)開(kāi)發(fā)出具有低導通電阻*1優(yōu)勢的車(chē)載Nch MOSFET*2“RF9x120BKFRA”、“RQ3xxx0BxFRA”和“RD3x0xxBKHRB”。新產(chǎn)品非常適用于汽車(chē)門(mén)鎖和座椅調節裝置等所用的各種電機以及LED前照燈等應用。目前,3種封裝10種型號的新產(chǎn)品已經(jīng)開(kāi)始銷(xiāo)售,未來(lái)會(huì )繼續擴大產(chǎn)品陣容。



在汽車(chē)領(lǐng)域,隨著(zhù)安全性和便捷性的提高,電子產(chǎn)品逐漸增加,使得所安裝的電子元器件數量也與日俱增,而且,為了提高燃油效率和降低電耗,還要求降低這些產(chǎn)品的功耗。其中,尤其是在對于車(chē)載開(kāi)關(guān)應用不可或缺的MOSFET市場(chǎng),對導通電阻低、損耗低且發(fā)熱量低的產(chǎn)品需求高漲。

ROHM一直在為消費電子和工業(yè)設備領(lǐng)域提供采用中等耐壓新工藝的低導通電阻MOSFET。此次通過(guò)將這種新工藝應用于對可靠性要求高的車(chē)載產(chǎn)品,又開(kāi)發(fā)出具有低導通電阻優(yōu)勢的10款車(chē)載Nch MOSFET新產(chǎn)品。不僅有近年來(lái)需求高漲的2.0mm×2.0mm和3.3mm×3.3mm尺寸的小型封裝產(chǎn)品,還有傳統的TO-252封裝產(chǎn)品,未來(lái)將會(huì )繼續擴大產(chǎn)品陣容并持續供應。

新產(chǎn)品的耐壓分別為40V、60V和100V,均通過(guò)采用split gate*3實(shí)現了低導通電阻,有助于車(chē)載應用的高效運行。所有型號的新產(chǎn)品均符合汽車(chē)電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101,并確保高可靠性。

封裝有適用于不同應用的3種形式。小型封裝DFN2020Y7LSAA(2.0mm×2.0mm)和HSMT8AG(3.3mm×3.3mm)非常適用于高級駕駛輔助系統(ADAS)等安裝面積較小的應用。另外還有已被廣泛用于車(chē)載電源等應用的TO-252(DPAK)封裝(6.6mm×10.0mm)。DFN2020Y7LSAA封裝的引腳采用的是可潤濕側翼(Wettable Flank)成型技術(shù)*4,TO-252封裝的引腳采用的是鷗翼型結構*5,安裝可靠性都非常高。

目前,新產(chǎn)品暫以月產(chǎn)1,000萬(wàn)個(gè)(10種型號合計)的規模量產(chǎn)(樣品價(jià)格500日元/個(gè),不含稅)。前道工序的生產(chǎn)基地為ROHM Co., Ltd.(日本滋賀工廠(chǎng)),后道工序的生產(chǎn)基地為ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣)和ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰國)。另外,新產(chǎn)品已經(jīng)開(kāi)始通過(guò)電商進(jìn)行銷(xiāo)售,通過(guò)Ameya360電商平臺可購買(mǎi)。

未來(lái),ROHM將致力于擴大車(chē)載用中等耐壓Nch MOSFET的產(chǎn)品陣容。計劃于2024年10月開(kāi)始量產(chǎn)DFN3333封裝(3.3mm×3.3mm)和HPLF5060封裝(5.0mm×6.0mm)的產(chǎn)品,于2025年開(kāi)始量產(chǎn)80V耐壓的產(chǎn)品。另外還計劃增加Pch產(chǎn)品。ROHM將繼續擴大產(chǎn)品陣容,為車(chē)載應用的高效運行和小型化貢獻力量。

<產(chǎn)品陣容>



<應用示例>
◇各種車(chē)載電機(汽車(chē)門(mén)鎖、座椅調節器、電動(dòng)車(chē)窗等)
◇LED前照燈
◇信息娛樂(lè )系統、車(chē)載顯示器
◇高級駕駛輔助系統(ADAS)

<電商銷(xiāo)售信息>
電商平臺:Ameya360
(開(kāi)始銷(xiāo)售時(shí)間:2024年6月)

<術(shù)語(yǔ)解說(shuō)>
*1) 導通電阻(Ron)
MOSFET啟動(dòng)(ON)時(shí)漏極與源極之間的電阻值。該值越小,運行時(shí)的損耗(電力損耗)越少。

*2) Nch MOSFET
通過(guò)向柵極施加相對于源極為正的電壓而導通的MOSFET。與Pch MOSFET相比,由于Nch MOSFET具有更低的導通電阻,并且在各種電路中具有更出色的易用性,因而目前在市場(chǎng)上更受歡迎。

*3) split gate
一種將MOSFET的柵極分為多段以有效調整電子流動(dòng)的技術(shù)。利用該技術(shù)可實(shí)現高速且高可靠性的運行。

*4) 可潤濕側翼(Wettable Flank)成型技術(shù)
一種在底部電極封裝的引線(xiàn)框架側面進(jìn)行電鍍加工的技術(shù)。利用該技術(shù)可提高安裝可靠性。

*5) 鷗翼型結構
引腳從封裝兩側向外伸出的封裝形狀。散熱性?xún)?yōu)異,可提高安裝可靠性。

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