三星電子被控在微處理器和內存制造領(lǐng)域侵犯哈佛大學(xué)兩項專(zhuān)利

發(fā)布時(shí)間:2024-8-7 11:49    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 三星 , 微處理器 , 內存 , 哈佛大學(xué)
來(lái)源:IT之家

綜合《彭博法律》和路透社報道,哈佛大學(xué)本周一向美國得克薩斯州東區地方法院提交起訴書(shū),指控三星電子在微處理器和內存制造領(lǐng)域侵犯了兩項專(zhuān)利。

IT之家從起訴書(shū)中了解到,哈佛大學(xué)化學(xué)系教授 Roy G. Gordon 等是這兩項專(zhuān)利的發(fā)明人,哈佛大學(xué)校方是這些專(zhuān)利的受讓人,擁有對應專(zhuān)利的完整權利。

這兩項專(zhuān)利涉及含鈷、鎢薄膜的沉積方法,分別名為“用于銅互連的氮化鈷層及其形成方法”與“氮化鎢的氣相沉積”,哈佛大學(xué)稱(chēng)“這種薄膜對于計算機和手機等眾多產(chǎn)品的關(guān)鍵部件至關(guān)重要”。

哈佛大學(xué)認為三星電子在代工高通驍龍 8 Gen 1 處理器等的過(guò)程中,侵犯哈佛大學(xué)同氮化鈷薄膜制備有關(guān)的專(zhuān)利,涉及三星 S22 智能手機等產(chǎn)品。

而三星在生產(chǎn) LPDDR5X 等內存時(shí),在未經(jīng)授權的情況下實(shí)踐了哈佛大學(xué)鎢層沉積專(zhuān)利中至少一項權利要求的每個(gè)要素,三星的 Galaxy Z Flip5 折疊屏手機即使用了相關(guān) LPDDR5X 內存產(chǎn)品。

哈佛大學(xué)在起訴書(shū)中要求三星電子停止侵權并支付未指明金額的金錢(qián)賠償。
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