三相集成 GaN 技術(shù)如何更大限度地提高電機驅動(dòng)器的性能

發(fā)布時(shí)間:2024-8-20 19:06    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 電機驅動(dòng) , DRV7308 , GaN , IPM
該白皮書(shū)探討了德州儀器的 DRV7308 三相 GaN 智能電源模塊 (IPM) 如何持續助力提高電器和 HVAC 系統電機驅動(dòng)器的功率密度、電力輸送能力和效率,同時(shí)節省系統成本并提高可靠性。

本白皮書(shū)重點(diǎn)討論了使用基于氮化鎵 (GaN) 的電源開(kāi)關(guān)對電機驅動(dòng)器效率提升的作用以及注意事項:

Ÿ   GaN 如何提高逆變器效率 :在開(kāi)關(guān)損耗方面,與 MOSFETIGBT 相比,GaN FET 的損耗要低得多。

Ÿ   使用 GaN 電源開(kāi)關(guān)提高電機性能 :由于 GaN 即使在較低的 dv/dt 下也能提供低得多的開(kāi)關(guān)損耗,因此能夠以高得多的頻率進(jìn)行開(kāi)關(guān)以提高電機效率和性能。

Ÿ   在電機驅動(dòng)器中使用 GaN 時(shí)的設計注意事項 :設計人員通常必須考慮 dv/dt 對電機絕緣、軸承壽命、電磁干擾 (EMI) 和可靠性的影響。

下載全文:
【德州儀器白皮書(shū)20240820】三相集成 GaN 技術(shù)如何更大限度地提高電機驅動(dòng)器的性能.pdf (1.47 MB)

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