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器件占位面積小，采用BWL設計，ID高達795 A，可提高功率密度，而且低至0.21 C/W的RthJC可優(yōu)化熱性能 威世科技Vishay 推出采用PowerPAK 10x12封裝的新型40 V TrenchFET 四代n溝道功率MOSFET---SiJK140E，該器件擁有優(yōu)異的導通電阻，能夠為工業(yè)應用提供更高的效率和功率密度。與相同占位面積的競品器件相比，Vishay Siliconix SiJK140E的導通電阻降低了32 %，同時(shí)比采用TO-263-7L封裝的40 V MOSFET的導通電阻低58 %。 
日前發(fā)布的這款器件在10 V電壓下的典型導通電阻低至0.34 m，最大限度減少了傳導造成的功率損耗，從而提高了效率，同時(shí)通過(guò)低至0.21 °C/W典型值的RthJC改善了熱性能。SiJK140E允許設計人員使用一個(gè)器件（而不用并聯(lián)兩個(gè)器件）實(shí)現相同的低導通電阻，從而提高了可靠性，并延長(cháng)了平均故障間隔時(shí)間（MTBF）。 MOSFET采用無(wú)線(xiàn)鍵合（BWL）設計，最大限度減少了寄生電感，同時(shí)最大限度提高了電流能力。采用打線(xiàn)鍵合（BW）封裝的TO-263-7L解決方案電流限于200 A，而SiJK140E可提供高達795 A的連續漏極電流，以提高功率密度，同時(shí)提供強大的SOA功能。與TO-263-7L相比，器件的PowerPAK 10x12封裝占位面積為120 mm2，可節省27 %的PCB空間，同時(shí)厚度減小50 %。 SiJK140E非常適合同步整流、熱插拔和OR-ing功能。典型應用包括電機驅動(dòng)控制、電動(dòng)工具、焊接設備、等離子切割機、電池管理系統、機器人和3D打印機。為了避免這些產(chǎn)品出現共通，標準級FET提供了2.4Vgs的高閾值電壓。MOSFET符合RoHS標準且無(wú)鹵素，經(jīng)過(guò)100 % Rg和UIS測試。 PPAK10x12與 TO-263-7L規格對比
SiJK140E現可提供樣品并已實(shí)現量產(chǎn)，訂貨周期為36周。 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
