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40 A至240 A雙二極管和單相橋式器件正向壓降低至1.36 V，QC僅為56 nC 威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出16款采用工業(yè)標準SOT-227封裝的新型650 V和1200 V 碳化硅（SiC）肖特基二極管。這些Vishay半導體器件旨在為高頻應用提供高速和高效率，在同類(lèi)二極管中，它們在電容電荷（Qc）和正向壓降之間實(shí)現了出色的平衡。 
日前發(fā)布的二極管包括40 A至240 A的并聯(lián)雙二極管組件，以及50 A至90 A單相橋器件。這些二極管基于先進(jìn)的薄晶圓技術(shù)制造，正向壓降低至1.36 V，顯著(zhù)減小導通損耗，提高能效。此外，與硅基二極管相比，這些器件具有更好的反向恢復參數，幾乎沒(méi)有恢復尾電流。 這些器件的典型應用包括AC/DC功率因數校正（PFC），以及用于光伏系統、充電站、工業(yè)不間斷電源（UPS）和電信電源的反激式（FBPS）和LLC轉換器中的DC/DC超高頻輸出整流。在這些應用環(huán)境下，二極管QC低至56 nC，可實(shí)現高速開(kāi)關(guān)，其采用的行業(yè)標準封裝可直接替代競品解決方案。 這些二極管可在高達 +175 C高溫下工作，并且具有正溫度系數便于并聯(lián)。這些器件通過(guò)UL E78996認證，其特點(diǎn)是端子之間具有較大的爬電距離，以及簡(jiǎn)化的機械設計，便于快速組裝。 器件規格表：
1VR = 400 V 2VR = 800 V 新型SiC二極管現可提供樣品并已實(shí)現量產(chǎn)，供貨周期為18周。 |
