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碳化硅技術(shù)領(lǐng)域的全球引領(lǐng)者 Wolfspeed（NYSE: WOLF）于近日發(fā)布了全新的第 4 代技術(shù)平臺，該平臺從設計端就考慮耐久性和高效性，同時(shí)還能降低系統成本、縮短開(kāi)發(fā)時(shí)間。第 4 代技術(shù)專(zhuān)為簡(jiǎn)化大功率設計中常見(jiàn)的開(kāi)關(guān)行為和設計挑戰而設計，并為 Wolfspeed 的各類(lèi)產(chǎn)品（包括功率模塊、分立元件和裸芯片產(chǎn)品）制定了長(cháng)遠的發(fā)展規劃路線(xiàn)圖。這些產(chǎn)品目前有 750 V、1200 V 和 2300 V 等級可供選擇。 Wolfspeed 功率產(chǎn)品高級副總裁 Jay Cameron 表示：“我們知道，每個(gè)應用的設計都有一系列獨特的要求。從一開(kāi)始，我們對第 4 代技術(shù)的目標就是提高實(shí)際運行環(huán)境中的整體系統效率，重點(diǎn)是在系統層面提供最高性能。第 4 代技術(shù)使得設計工程師能夠打造出更高效、使用壽命更長(cháng)，在惡劣運行環(huán)境中也有良好運行表現的系統，而且在整體系統成本方面也有更好的表現�！� 碳化硅技術(shù)是功率器件市場(chǎng)和更廣泛的半導體行業(yè)中發(fā)展最為迅速的板塊之一。作為硅的卓越替代品，碳化硅是大功率應用（例如，電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力總成、電動(dòng)交通、可再生能源系統、電池儲能系統和 AI 數據中心）的理想選擇，不僅可提升性能，還可降低系統成本。 隨著(zhù)全球都在尋求更高效、更環(huán)保的解決方案，以滿(mǎn)足世界對高壓能源日益增長(cháng)的需求，必須繼續進(jìn)行戰略投資，以鞏固其技術(shù)優(yōu)勢，同時(shí)繼續推動(dòng)在關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng )新。 美國公用事業(yè)規模逆變器制造商 EPC Power 總裁兼首席產(chǎn)品官 Devin Dilley 表示：“創(chuàng )新技術(shù)帶來(lái)了商機。Wolfspeed 的全新第 4 代碳化硅技術(shù)使 EPC Power 能夠在全球范圍內實(shí)現能源產(chǎn)生和存儲方式的顛覆性變革�！� Wolfspeed 執行董事長(cháng) Tom Werner 表示：“Wolfspeed 一直堅持不懈地推動(dòng)持續創(chuàng )新，并將我們的碳化硅解決方案帶給越來(lái)越多的行業(yè)，以應對那些日益具有挑戰性的應用場(chǎng)景。我們的第 4 代技術(shù)將依托我們的高效 200 mm 晶圓交付，這將使我們能夠實(shí)現該行業(yè)前所未有的生產(chǎn)規模和良率水平�！� Wolfspeed 的第 4 代技術(shù)旨在全面提高系統效率，延長(cháng)應用壽命，即使在最?lèi)毫拥沫h(huán)境中也不例外，同時(shí)有助于降低系統成本、縮短開(kāi)發(fā)時(shí)間。該技術(shù)將為大功率汽車(chē)、工業(yè)和可再生能源系統的設計人員帶來(lái)顯著(zhù)的性能提升，主要優(yōu)勢包括： • 整體系統效率：在工作溫度下，導通電阻降低高達 21%，開(kāi)關(guān)損耗降低高達 15%。 • 耐久性：確�？煽康男阅�，包括高達 2.3 μS 的短路耐受時(shí)間，以提供額外的安全余量。 • 更低的系統成本：簡(jiǎn)化設計流程，降低系統成本、縮短開(kāi)發(fā)時(shí)間。 產(chǎn)品供應 Wolfspeed 的第 4 代技術(shù)提供 750 V、1200 V 和 2300 V 三種電壓節點(diǎn)規格，并有功率模塊、分立元件及裸芯片產(chǎn)品可供選擇。2025 年全年和 2026 年初將陸續推出新產(chǎn)品，包括更多的封裝尺寸以及各種 RDSON 系列。 第 4 代技術(shù)情況說(shuō)明書(shū)內容： 持久耐用設計，從容應對最嚴苛環(huán)境 隨著(zhù)汽車(chē)、工業(yè)和可再生能源制造商不斷推動(dòng)產(chǎn)品電氣化，產(chǎn)品的可靠性和耐用性變得至關(guān)重要。Wolfspeed 第 4 代技術(shù)的設計理念以此為目標，將耐用性作為關(guān)鍵預期加以打造。 第 4 代技術(shù)具有高達 2.3 μS 的短路耐受時(shí)間，可為關(guān)鍵應用提供額外的安全余量。此外，與以前的技術(shù)相比，該平臺的失效率 (FIT) 能夠實(shí)現高達 100 倍的改善，確保了在不同海拔高度下都能擁有可靠的性能表現。體二極管設計提升了系統的耐用性，可以實(shí)現更快的開(kāi)關(guān)速度，減少損耗并降低振鈴現象，使 VDS 過(guò)沖降低 80%。第 4 代裸芯片能夠勝任 185 °C 的連續運行工況以及 200 °C 的有限壽命運行工況，為面向高溫應用場(chǎng)景的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和推向市場(chǎng)帶來(lái)積極作用。這使得設計人員能夠靈活地將其設計推向極致性能。 整體系統效率：旨在全面提升系統效率 第 4 代技術(shù)在整體效率方面達到一個(gè)重要里程碑階段。無(wú)論是軟開(kāi)關(guān)還是硬開(kāi)關(guān)應用，Wolfspeed 的第 4 代技術(shù)在工作溫度條件下可使比導通電阻降低達 21%；而在硬開(kāi)關(guān)應用中，得益于第 4 代技術(shù)，開(kāi)關(guān)損耗降低幅度達到 15%。 這些效率提升優(yōu)勢與第 4 代技術(shù)的高溫導通電阻這一特性相互配合，進(jìn)一步體現出 Wolfspeed 致力于確保產(chǎn)品在實(shí)際應用場(chǎng)景中展現可靠性能的決心與承諾。 系統成本降低：旨在降低系統成本、縮短開(kāi)發(fā)時(shí)間 為了解決系統成本顧慮，Wolfspeed 的新平臺能夠采用更小、更經(jīng)濟實(shí)惠的無(wú)源和濾波元件，最終達到縮短系統開(kāi)發(fā)時(shí)間、降低成本的目的。此外，第 4 代技術(shù)能夠實(shí)現在相同的封裝尺寸范圍內，將功率輸出提升多達 30%。第 4 代技術(shù)能夠集成一種新型軟恢復體二極管的設計，可顯著(zhù)降低反向恢復期間的 EMI，簡(jiǎn)化 EMI 認證流程，并可實(shí)現采用更小尺寸的 EMI 濾波器。第 4 代 MOSFET 器件的電容比高達 600，可在高 dV/dt 下實(shí)現更安全、更平滑的開(kāi)關(guān)動(dòng)作，而不會(huì )出現寄生過(guò)沖現象。 |
| 碳化硅MOS管?chē)a(chǎn)從650V-1200V-1700V-2000V-3300V，后續推出6500V。 電子工程網(wǎng) http://selenalain.com/thread-826808-1-1.html |
| 碳化硅MOSFET驅動(dòng)設計合訂本https://pan.baidu.com/s/1OuA0xE_3WQ7RTXWszbFrug 提取碼8gxs |
