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安森美 EliteSiC SPM 31 智能功率模塊 (IPM) 有助于實(shí)現能效和性能領(lǐng)先行業(yè)的更緊湊變頻電機驅動(dòng) 安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)推出其第一代基于1200V碳化硅（SiC）金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管（MOSFET）的SPM 31智能功率模塊（IPM）系列。與使用第7代場(chǎng)截止（FS7） IGBT技術(shù)相比，安森美EliteSiC SPM 31 IPM在超緊湊的封裝尺寸中提供超高的能效和功率密度，從而實(shí)現比市場(chǎng)上其他領(lǐng)先解決方案更低的整體系統成本。這些IPM改進(jìn)了熱性能、降低了功耗，支持快速開(kāi)關(guān)速度，非常適用于三相變頻驅動(dòng)應用，如AI數據中心、熱泵、商用暖通空調（HVAC）系統、伺服電機、機器人、變頻驅動(dòng)器（VFD）以及工業(yè)泵和風(fēng)機等應用中的電子換向（EC）風(fēng)機。 
EliteSiC SPM 31 IPM 與安森美 IGBT SPM 31 IPM 產(chǎn)品組合（涵蓋 15A 至 35A 的低電流）形成互補，提供從 40A 到 70A 的多種額定電流。安森美目前以緊湊的封裝提供業(yè)界領(lǐng)先的廣泛可擴展、靈活的集成功率模塊解決方案。 隨著(zhù)電氣化和人工智能應用的增長(cháng)，尤其是更多AI數據中心的建設增加了能源需求，降低該領(lǐng)域應用的能耗變得愈發(fā)重要。在這個(gè)向低碳排放世界轉型的過(guò)程中，能夠高效轉換電能的功率半導體發(fā)揮著(zhù)關(guān)鍵作用。 隨著(zhù)數據中心的數量和規模不斷增長(cháng)，預計對 EC 風(fēng)機的需求也將隨之增加。這些冷卻風(fēng)機可為數據中心的所有設備維持理想的運行環(huán)境，對于準確、無(wú)誤的數據傳送至關(guān)重要。 SiC IPM 可確保 EC 風(fēng)機以更高能效可靠運行。 與壓縮機驅動(dòng)和泵等許多其他工業(yè)應用一樣，EC 風(fēng)機需要比現有較大的 IGBT 解決方案具有更高的功率密度和能效。通過(guò)改用 EliteSiC SPM 31 IPM，客戶(hù)將受益于更小的尺寸、更高的性能以及因高度集成而簡(jiǎn)化的設計，從而縮短開(kāi)發(fā)時(shí)間，降低整體系統成本，并減少溫室氣體排放。例如，與使用當前 IGBT 功率集成模塊 (PIM) 的系統解決方案相比，在 70% 負載時(shí)的功率損耗為 500W，而采用高效的 EliteSiC SPM 31 IPM 可使每個(gè) EC 風(fēng)機的年能耗和成本降低 52%。 全集成的 EliteSiC SPM 31 IPM 包括一個(gè)獨立的上橋柵極驅動(dòng)器、低壓集成電路 (LVIC)、六個(gè) EliteSiC MOSFET 和一個(gè)溫度傳感器（電壓溫度傳感器 (VTS) 或熱敏電阻）。 該模塊基于業(yè)界領(lǐng)先的 M3 SiC 技術(shù)，縮小了裸片尺寸，并利用 SPM 31 封裝提高短路耐受時(shí)間 (SCWT) ，從而針對硬開(kāi)關(guān)應用進(jìn)行了優(yōu)化，適用于工業(yè)用變頻電機驅動(dòng)。MOSFET 采用三相橋式結構，下橋臂采用獨立源極連接，充分提高了選擇控制算法的靈活性。 此外，EliteSiC SPM 31 IPM 還包括以下優(yōu)勢： • 低損耗、額定抗短路能力的 M3 EliteSiC MOSFET，可防止設備和元件發(fā)生災難性故障，如電擊或火災。 • 內置欠壓保護（UVP），防止電壓過(guò)低時(shí)損壞設備。 • 作為 FS7 IGBT SPM 31 的對等產(chǎn)品，客戶(hù)可以在使用相同 PCB 板的同時(shí)選擇不同的額定電流。 • 獲得UL認證，符合國家和國際安全標準。 • 單接地電源可提供更好的安全性、設備保護和降噪。 • 簡(jiǎn)化設計并縮小客戶(hù)電路板尺寸，這得益于： o 柵極驅動(dòng)器控制和保護 o 內置自舉二極管（BSD）和自舉電阻（BSR） o 為上橋柵極升壓驅動(dòng)提供內部升壓二極管 o 集成溫度傳感器（由 LVIC 和/或熱敏電阻輸出 VTS） o 內置高速高壓集成電路 更多信息：
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