CGD發(fā)布突破性100kW+技術(shù),推動(dòng)氮化鎵(GaN)進(jìn)軍超100億美元電動(dòng)汽車(chē)逆變器市場(chǎng)

發(fā)布時(shí)間:2025-4-1 18:51    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: ICeGaN , HEMT , 汽車(chē)逆變器
ICeGaN HEMT與IGBT的并聯(lián)組合實(shí)現了高效率與低成本的雙重優(yōu)勢

無(wú)晶圓廠(chǎng)環(huán)?萍半導體公司Cambridge GaN Devices (CGD)專(zhuān)注于開(kāi)發(fā)高能效氮化鎵(GaN)功率器件,致力于簡(jiǎn)化綠色電子產(chǎn)品的設計和實(shí)施。近日,CGD進(jìn)一步公布了關(guān)于ICeGaN GaN 技術(shù)解決方案的詳情,該方案將助力公司進(jìn)軍功率超過(guò)100kW的電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力總成應用市場(chǎng),這一市場(chǎng)規模預計超過(guò)100億美元。Combo ICeGaN通過(guò)將智慧ICeGaN HEMT IC與IGBT(絕緣柵雙極晶體管)集成在同一模塊或智能功率模塊(IPM)中,不僅實(shí)現了高效率,還提供一種更具有成本效益的替代方案,以取代昂貴的碳化硅(SiC)解決方案。



GIORGIA LONGOBARDI博士 |CGD創(chuàng )辦人兼首席執行長(cháng)

“目前,電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力總成的逆變器主要面臨兩種選擇:一種是采用低成本的IGBT,但在輕負載條件下效率較低; 另一種是使用效率極高但價(jià)格昂貴的碳化硅(SiC)器件。 我們全新的Combo ICeGaN解決方案通過(guò)智慧結合氮化鎵(GaN)和硅技術(shù)的優(yōu)勢,為電動(dòng)汽車(chē)行業(yè)帶來(lái)革命性突破,在顯著(zhù)降低成本的同時(shí)實(shí)現最高效率。這將實(shí)現更快的充電速度和更長(cháng)的續航里程。 我們已與多家頂級電動(dòng)汽車(chē)制造商及其供應鏈合作伙伴緊密合作,加速將這一技術(shù)創(chuàng )新推向市場(chǎng)。 ”

獨特的Combo ICeGaN技術(shù)解決方案充分利用了ICeGaN與IGBT器件在驅動(dòng)電壓范圍(如 0-20V)和柵極耐受性方面的相似性,使兩者能夠在并聯(lián)架構中高效協(xié)同工作。在實(shí)際運行中,ICeGaN開(kāi)關(guān)在較低電流(輕負載)下表現出較高的效率,具備低導通損耗和低開(kāi)關(guān)損耗; 而IGBT則在較高電流(接近滿(mǎn)載或浪涌條件)時(shí)發(fā)揮主導作用。Combo ICeGaN還結合了IGBT的高飽和電流和雪崩鉗位能力,以及ICeGaN 的高效開(kāi)關(guān)特性,進(jìn)一步提升了整體性能。 在高溫環(huán)境下,IGBT的雙極特性使其能在較低的導通電壓下導通,從而有效彌補 ICeGaN 的電流損失; 相反,在低溫條件下,ICeGaN將承擔更多的電流。這一方案通過(guò)智慧化的感測和保護功能,優(yōu)化了Combo ICeGaN的驅動(dòng)方式,同時(shí)擴展了ICeGaN與IGBT設備的安全工作區域(SOA),確保系統的穩定性和可靠性。

ICeGaN 技術(shù)使電動(dòng)汽車(chē)工程師能夠在DC-DC轉換器、車(chē)載充電器(OBC)以及未來(lái)的牽引逆變器中充分利用GaN技術(shù)的優(yōu)勢。Combo ICeGaN進(jìn)一步拓展了CGGaN技術(shù)應用范圍,進(jìn)入功率超過(guò) 100kW的牽引逆變器市場(chǎng)。ICeGaN IC已被驗證具備極高的可靠性,而IGBT在牽引系統和電動(dòng)汽車(chē)應用中也有著(zhù)長(cháng)期且可靠的應用記錄。此外,CGD還成功驗證了ICeGaN與SiC MOSFET并聯(lián)組合方案的可行性。在IEDM論文中詳細介紹的Combo ICeGaN方案無(wú)疑是更具成本效益的選擇。 CGD預計將在今年年底推出可運行的Combo ICeGaN演示版本,為電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力系統提供更高效、更經(jīng)濟的解決方案。

FLORIN UDREA教授 |CGD創(chuàng )始人兼首席技術(shù)長(cháng)

“在功率器件領(lǐng)域工作了三十年,這是我第一次遇到如此完美互補的技術(shù)組合。ICeGaN在輕負載條件下表現出極高的速度和卓越的性能,而IGBT在滿(mǎn)載、浪涌條件以及高溫環(huán)境下展現出顯著(zhù)優(yōu)勢。ICeGaN提供了高度集成的片上智能功能,而IGBT則具備雪崩能力為系統保駕護航。兩者均采用硅基底,這不僅顯著(zhù)降低了成本,還充分利用了基礎設施和制造工藝優(yōu)勢。 ”

CGD將參展APEC(應用電力電子會(huì )議與博覽會(huì ))。如需了解更多關(guān)于Combo ICeGaN的詳細信息,歡迎于2025年3 月16-20日蒞臨喬治亞世界會(huì )議中心(亞特蘭大喬治亞州)2039展位。

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