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國際整流器公司 (IR) 推出行業(yè)首個(gè)商用集成功率級產(chǎn)品系列，采用了IR革命性的氮化鎵 (GaN) 功率器件技術(shù)平臺。嶄新的iP2010和iP2011系列器件是為多相和負載點(diǎn) (POL) 應用設計的，包括服務(wù)器、路由器、交換機，以及通用POL DC-DC轉換器。 iP2010和iP2011集成了非常先進(jìn)的超快速PowIRtune驅動(dòng)器IC，并匹配一個(gè)多開(kāi)關(guān)單片氮化鎵功率器件。這些器件貼裝在一個(gè)倒裝芯片封裝平臺上，可帶來(lái)比最先進(jìn)的硅集成功率級器件更高的效率和超出雙倍的開(kāi)關(guān)頻率。 iP2010的輸入電壓范圍為7V至13.2V，輸出電壓范圍則為0.6V至5.5V，輸出電流高達30A。這個(gè)器件最高運行頻率為3MHz。在5MHz運行時(shí)，與iP2010引腳兼容的iP2011備有相同的輸入和輸出電壓范圍，但后者經(jīng)過(guò)優(yōu)化，從而使最高輸出電流高達20A。通過(guò)以通用占位面積提供多種電流額定值器件，IR提供的靈活性能夠滿(mǎn)足不同客戶(hù)對電流水平、性能和成本的要求。 這兩種器件采用細小占位面積的LGA封裝，為極低的功率損耗作出了優(yōu)化，并提供高效率的雙面冷卻功能，并符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規定 (RoHS) 。 iP2010產(chǎn)品規格
iP2011產(chǎn)品規格
單頁(yè)的數據表已刊登在IR的網(wǎng)站 www.irf.com。IR也會(huì )向合格客戶(hù)提供完整的數據表、演示板和樣品。 GaNpowIR是一種革命性的氮化鎵 (GaN) 功率器件技術(shù)平臺，與最先進(jìn)的硅技術(shù)平臺相比，能夠改善客戶(hù)主要特定應用的性能指數 (FOM) 高達10倍，可以顯著(zhù)提高性能并節省能源消耗，目標市場(chǎng)包括計算和通信、汽車(chē)和家電等的終端應用。這款氮化鎵功率器件技術(shù)平臺是IR經(jīng)過(guò)5年的時(shí)間，基于其專(zhuān)有硅上氮化鎵外延技術(shù)研究開(kāi)發(fā)的成果。高生產(chǎn)量的150mm硅上氮化鎵外延以及相關(guān)的器件制造工藝，完全符合IR具備成本效益的硅制造設施，可為客戶(hù)提供世界級的商業(yè)可行的氮化鎵功率器件制造平臺。欲獲取更多資料，請瀏覽 http://www.irf.com/product-info/powir。 |
