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引言 在采用TI數字信號處理器（DSP）的嵌放式硬件系統開(kāi)發(fā)完成，軟件也有CCS2.0集成開(kāi)發(fā)環(huán)境下仿真測試通過(guò)后，怎樣將編譯、鏈接后生成的可執行文件（.Out），經(jīng)過(guò)轉換后的十六進(jìn)制文件（.Hex）寫(xiě)入硬件系統的Flash存儲器中，讓系統脫機運行，這是許多DSP開(kāi)發(fā)人員及初學(xué)者遇到并需要解決的問(wèn)題。 從JTAG接口對DSP外部Flash的編程方法不只一種。本文以TMS320C6711-150 DSK板為例，介紹“在線(xiàn)仿真狀態(tài)下”對Flash的編程。 1 Flash存儲器的擦除 Flash編程之前，應對Flash進(jìn)行擦除，使其每個(gè)數據位都恢復為1狀態(tài)，即全FF狀態(tài)。對Flash的擦除操作需要6個(gè)總線(xiàn)周期，總線(xiàn)時(shí)序如圖1。 
從圖1可知，各總線(xiàn)周期的操作為： 第一總線(xiàn)周期——向2AAAH地址的存儲單元寫(xiě)入數據55H； 第二總線(xiàn)周期——向2AAAH地址的存儲單元寫(xiě)入數據55H； 第三總線(xiàn)周期——向5555H地址的存儲單元寫(xiě)入數據80H； 第四總線(xiàn)周期——向5555H地址的存儲單元寫(xiě)入數據AAH； 第五總線(xiàn)周期——向2AAAH地址的存儲單元寫(xiě)入數據55H； 第六總線(xiàn)周期——向5555H地址的存儲單元寫(xiě)入數據10H。 完成上述操作后，Flash存儲器被完全擦除，內部數據恢復為初始狀態(tài)，全為FFH。 在TMS320C6711中，用C語(yǔ)言完成上述操作為： void erase_flash() { *(unsigned volatile char*)FLASH_ADR1=0x00aa; *(unsigned volatile char*)FLASH_ADR2=0x0055; *(unsigned volatile char*)FLASH_ADR1=0x0080; *(unsigned volatile char*)FLASH_ADR1=0x00aa; *(unsigned volatile char*)FLASH_ADR2=0x0055； *(unsigned volatile char*)FLASH_ADR1=0x0010； } 在TMS320C6711系統中，Flash所在地址段為CE1空間，其開(kāi)始地址為0x90000000。這樣，其中的FLASH_ADR1、FLASH_ADR2在頭文件中被定義為： #define FLASH_ADR1 0x90005555 #define FLASH_ADR2 0x90002AAA 需要說(shuō)明的是，在對Flash進(jìn)行擦除時(shí)，應對DSP及EMIF外存儲器接口進(jìn)行初始化，CE1空間定義為8位讀寫(xiě)模式。 初始化函數如下： void c6x11_dsk_init(){ /*DSP和EMIF初始化*/ CSR=0x100; /*禁止所有中斷*/ IER=1； /*禁止除NMI外的所有中斷*/ ICR=0xffff; /*清除所有未完成的中斷*/ *（unsigned volatile int *）EMIF_GCR=0x3300; *(unsigned volatile int *)EMIF_CE0=0x30; *(unsigned volatile int*)EMIF_CE1=0xffffff03; *(unsigned volatile int*)EMIF_SDCTRL=0x07227000; *(unsigned volatile int*)EMIF_SDRP=0x61a; *(unsigned volatile int*)EMIF_SDEXT=0x54529; } 2 Flash存儲器的編程 對Flash存儲器進(jìn)行字節編程之前，需要對它進(jìn)行3個(gè)周期的編程指令操作，總線(xiàn)時(shí)序如圖2。
從圖2可知，各總線(xiàn)周期的操作如下： 第一總線(xiàn)周期——向5555H地址的存儲單元寫(xiě)入數據AAH； 第二總線(xiàn)周期——向2AAAH地址的存儲單元寫(xiě)入數據55H； 第三總線(xiàn)周期——向5555H地址的存儲單元寫(xiě)入數據A0H； 第四總線(xiàn)周期——向地址的存儲單元寫(xiě)入編程數據； …… 在TMS320C6711中，用C語(yǔ)言完成上述操作為： /*---------------------------------------------------------------------*/ /*入口參數：pattern[]：數組，用于存儲編程數據*/ */ start_address:所要編程的起始地址指針*/ /* page_size：所要編程的Flash的頁(yè)面尺寸*/ /*出口參數：無(wú)*/ /*---------------------------------------------------------------------*/ void flash_page_prog(unsigned char pattern[],unsigned volatile char *start_address,int page_size){ volatile int i; unsigned volatile char *flash_ptr=start_address; *(unsigned volatile char *)FLASH_ADR1=FLASH_KEY1; *(unsigned volatile char *)FLASH_ADR2=FLASH_KEY2; *(unsigned volatile char *)FLASH_ADR1=FLASH_KEY3; for(i=0;i } 其中，FLASH_KEY1、FLASH_KEY2、FLASH_KEY3的定義如下： #define FLASH_KEY1 0xAA #define FLASH_KEY2 0x55 #define FLASH_KEY3 0xA0 3 校驗和的計算與編程原理 （1）校驗和的計算 在程序中，應對Flash編程的正確性進(jìn)行自動(dòng)檢查，把編程前數據的校驗和編程后Flash中讀出數據的校驗和進(jìn)行比較：如果相同，則編程成功；如果不相同，則編程失敗。需要注意的是，在對Flash進(jìn)行編程的過(guò)程中，不能用CCS2.0中的“VIEW/MEMORY…”功能看Flash中的編程數據，這樣會(huì )導致一會(huì )地址編程的失敗。 其C語(yǔ)言程序如下： /*----------------------------------------------------------------------*/ /*入口參數：start_address:所要校驗的起始地址*/ /* size_in_byte:所要校驗的Flash數據字節數*/ /*出口參數：lchecksum:校驗和 */ /*----------------------------------------------------------------------*/ int flash_checksum(int start_address,int size_in_byte){ int i; int lchecksum; unsigned volatile char*flash_ptr=(unsigned volatile char*) start_address; int temp; i=0; lchecksum=0; while(i temp=*flash_ptr++; temp&=0xff; lchecksum=lchecksum+temp; i++; } return lchecksum; } (2)編程原理 基本原理是：在仿真狀態(tài)下，在PC機上運行DSP編程軟件，由運行的DSP通過(guò)JTAG口從PC機上讀入待編程的十六進(jìn)制數據文件，由DSP將其寫(xiě)入到其外部Flash中，即完成用戶(hù)數據文件的燒寫(xiě)工作。 4 編程數據的讀入及編程 編程時(shí)，由DSP程序從終端仿真計算機上打開(kāi)要編程的十六進(jìn)制文件，從十六進(jìn)制文件中依次讀入編程數據，并由DSP將其寫(xiě)入到其外部Flash中，程序段如下： while(data_flag=0){ display_count++; if(display_count==DISPLAY_SIZE){ display_count=0; /*printf(".");*/ } for(i=0;i j=fscanf(hex_fp,“%x”,&data);/*從文件中讀入編程數據，每次取一個(gè)字節*/ if(j==EOF||j==0){ data_flag=1; break; } host_buffer=data; checksum+=data; flash_addr+=1; if(falsh_addr>0x90020001){ printf("ERROR:beyond valid flash address!"); } } //寫(xiě)入Flash ptr=(unsigned volatile char *)(flash_addr-0x80); if(data_flasg==0){ length=FLASH_WRITE_SIXZE; flash_page_prog(host_buffer,ptr,length); printf("Programming address:%x"，flash_addr-0x80); } } 注意：所采用的十六進(jìn)制文件應使用“Hex6x.exe”命令，并在hex.cmd命令文件中使用“-a”參數生成的文件；指定的存儲器長(cháng)度必須能被128整數（len參數能被128整除）。因為AT29LV010A以扇區為操作單位，每個(gè)扇區為128字節，共1024個(gè)扇區，其格式如下： … -map hex.map -a -image -zero -memwidth 8 ROMS { FLASH:org=0x90000000,len=0x20000,romwidth=8,files={test.hex} } … 5 仿真運行 將上述程序組成一個(gè)完整的程序，經(jīng)過(guò)編譯、鏈接（Project/Build命令）后，使用“File/Load Program...”將編程代碼Load到DSP中，運行程序，經(jīng)過(guò)幾分種后即編程完畢。 結語(yǔ) 對DSP外部Flash編程雖不是一項關(guān)鍵技術(shù)，但它在整個(gè)DSP嵌入式系統開(kāi)發(fā)中卻有著(zhù)至關(guān)重要的作用。如果開(kāi)發(fā)者在設計之初就掌握了這項技術(shù)，就會(huì )大大方便系統的調試，縮短開(kāi)發(fā)時(shí)間。 參考文獻 1. AT29LV010A DataSheet 2. Flash Programmable Erasable ROM Application Note(AN-2) 作 者：國營(yíng)第722廠(chǎng) 夏爽 來(lái) 源：單片機與嵌入式系統應用 2003（8） |
