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半導體結自加熱效應 隨著(zhù)測試時(shí)間增加，VCSEL的半導體結逐漸變熱。正向電壓測試變得對半導體結自加熱效應敏感。隨著(zhù)半導體結發(fā)熱，電壓下降，更嚴重的是，在恒定電壓測試中漏電流會(huì )上升。 因而，在不犧牲測量精度和穩定性的前提下保持盡可能短的測量時(shí)間變得非常重要。SourceMeter©系列設備允許用戶(hù)在測量前定義器件的熱機時(shí)間，以及獲得輸入信號的時(shí)間長(cháng)度。熱機時(shí)間可以保證任何電路電容在測量開(kāi)始前進(jìn)入穩態(tài)。測量積分時(shí)間由電源的線(xiàn)性周期數（NPLC，number of power line cycles）決定。如果輸入電源是60Hz，1個(gè)電源線(xiàn)性周期測量需要1/60 s，即16.667ms。積分時(shí)間決定了模數轉換器ADC采集輸入信號的時(shí)間。通常，所選擇的積分時(shí)間表示了速度和精度之間的折中。 VF測試的典型熱機時(shí)間范圍是1~5ms，對于光強度-電流測試，該時(shí)間范圍是5~20ms。這段短暫的熱機時(shí)間有助于減少由半導體結自加熱效應帶來(lái)的誤差。通過(guò)進(jìn)行一系列測試并且在每一次重復測試時(shí)只改變熱機時(shí)間的做法，可以進(jìn)行半導體結的熱特性測試。 漏電流 除了電纜和待測器件夾具通常的漏電特性之外，測試夾具的導電性沾污會(huì )隨著(zhù)時(shí)間增加，產(chǎn)生漏電流。在測量小電流或采用小電流光電二極管時(shí)，需要想辦法減小漏電流。 一種減小漏電流的方法是，采用帶保護的夾具。在帶保護的夾具中，待測件附近的區域與輸出的HI信號保持相同的電勢，可以減小待測件和漏電流路徑上的電壓。要了解更多更詳細的關(guān)于保護裝置和防護敏感信號的解釋?zhuān)垍⒁?jiàn)吉時(shí)利名為“Obtaining More Accurate Resistance Measurements Using the 6-Wire Ohms Measurement Technique”的文章，可以在吉時(shí)利網(wǎng)站上查到。 圖1 使用開(kāi)關(guān)進(jìn)行多器件測試 圖2 采用多個(gè)2602型源表系統進(jìn)行并行測試的配置 了解吉時(shí)利2602型源表更多信息，請戳http://www.keithley.com.cn/products/localizedproducts/currentvoltage/2602/ 想與吉時(shí)利測試測量專(zhuān)家互動(dòng)？想有更多學(xué)習資源？可登錄吉時(shí)利官方網(wǎng)站http://www.keithley.com.cn/ |
