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在微縮CMOS和精密模擬CMOS技術(shù)中對偏壓溫度不穩定性——負偏壓溫度不穩定性（NBTI）和正偏壓溫度不穩定性（PBTI）——監測和控制的需求不斷增加。當前NBTI 的JEDEC標準將“測量間歇期的NBTI恢復”視為促進(jìn)可靠性研究人員不斷完善測試技術(shù)的關(guān)鍵。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，當撤銷(xiāo)器件應力時(shí)，這種性能的劣化就開(kāi)始“愈合”。這意味著(zhù)慢間歇期測量得出的壽命預測結果將過(guò)于樂(lè )觀(guān)。因此，劣化特性分析得越快，（劣化）恢復對壽命預測的影響越小。此外，實(shí)驗數據顯示被測的劣化時(shí)間斜率（n）很大程度取決于測量時(shí)延和測量速度。因此，為了最小化測量延時(shí)并提高測量速度開(kāi)發(fā)了幾種測量技術(shù)。 資料下載： 
2814_OTF Voltage_An - CN.pdf
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| 謝謝�。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。�！ |
頂起######�。。。。。。。�！ |
| 謝謝 |
| 謝謝樓主分享，但在實(shí)際測量時(shí)，我用溫度測試儀操作時(shí)，發(fā)現測量時(shí)延和測量速度沒(méi)有明顯相關(guān)性。 |
| xiexie |
