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安捷倫科技公司推出先進(jìn)設計系統（ADS）射頻和微波 EDA 平臺的全新主要版本 ADS 2012。 ADS 2012 具備新的功能，提升了所支持應用的設計效率，并為 GaAs、GaN 和硅基材料射頻功率放大器多芯片模塊設計提供突破性技術(shù)。 提升設計效率 ADS 2012提供多個(gè)用戶(hù)界面增強特性，旨在改善工程師的設計效率�？神v留窗口支持用戶(hù)快速訪(fǎng)問(wèn)常用的對話(huà)框，例如元器件信息和版圖層可視化窗口。新增的元器件搜索和網(wǎng)絡(luò )節點(diǎn)瀏覽功能可讓用戶(hù)輕松地完成大型設計。新的工程歸檔/解檔實(shí)用程序可使設計和工程項目共享變得更簡(jiǎn)單。 更新了兩個(gè)重要的ADS射頻設計指南。ADS負載牽引設計指南現在包括失配仿真，給出器件或放大器對負載電壓駐波比或相位角的靈敏度。放大器設計指南增添了多項更新，可輕松查看在指定輸出功率或增益壓縮上的放大器性能。 突破性進(jìn)展 ADS 2012在射頻功率放大器設計上的其它突破性進(jìn)展包括： • 通過(guò)與EMPro整合，可將三維電磁場(chǎng)元器件另存為可以在A(yíng)DS中直接使用的數據庫單元。 • 全新的集成在A(yíng)DS設計環(huán)境中的電熱仿真器以全三維熱求解為基礎，結合了動(dòng)態(tài)溫度效應，提高了“熱感知”電路仿真結果的精度。 • 多芯片模塊的電磁場(chǎng)仿真設置及不同技術(shù)的有限元方法仿真，可以分析典型的多芯片功率放大器模塊中的芯片和互連線(xiàn)、鍵合線(xiàn)以及倒裝芯片焊球之間的電磁場(chǎng)耦合效應。 • 提供對新型神經(jīng)元網(wǎng)絡(luò ) NeuroFET 模型的支持（通過(guò)Agilent IC-CAP器件建模軟件提�。�，獲得更精確的場(chǎng)效應管建模和仿真結果（例如大功率GaN FET放大器）。 ADS 2012 網(wǎng)絡(luò )研討會(huì ) 為了更完善地推出ADS 2012軟件，安捷倫還提供一系列網(wǎng)絡(luò )研討會(huì )，用以演示軟件的最新技術(shù)和應用。網(wǎng)絡(luò )研討會(huì )包括： • 集成的電熱解決方案提供熱感知電路仿真 —— 現場(chǎng)直播 10 月 4 日 • 射頻功率放大器設計系列：第 4 部分——使用 Amalfi CMOS PA 進(jìn)行射頻模塊設計 —— 現場(chǎng)直播 11 月 15 日 • 射頻功率放大器設計系列：第 5 部分——包絡(luò )跟蹤和仿真分析 ——現場(chǎng)直播 12 月 13 日 • 芯片、基板及封裝多工藝功放 模塊設計方法 —— 點(diǎn)播式 • 使用 X 參數*功率晶體管模型進(jìn)行功率放大器設計 —— 點(diǎn)播式 安捷倫誠邀客戶(hù)體驗 ADS 2012 測試版。對全新 ADS 2012 的技術(shù)、應用和功能感興趣的客戶(hù)可與當地的應用工程師或現場(chǎng)銷(xiāo)售人員聯(lián)系，以了解更多信息。ADS 2012 的海報請參見(jiàn) www.agilent.com/find/ADS2012SW_images 安捷倫將于10月15日至16日在復合半導體集成電路研討會(huì )（展位16）展示ADS 2012（美國加州，拉荷亞），并于10月29日至11月1日在歐洲微波周（展位 114）進(jìn)行展示（阿姆斯特丹RAI 國際會(huì )展中心）。安捷倫還將展示最新的微波、毫米波、無(wú)線(xiàn)、雷達和天線(xiàn)測試與測量解決方案，適用于電信、運輸和醫療市場(chǎng)。業(yè)界領(lǐng)先的解決方案可使研發(fā)、設計與制造工程師開(kāi)發(fā)并交付創(chuàng )新型產(chǎn)品。 安捷倫連續九年作為歐洲微波周的白金贊助商，將會(huì )主辦一系列研討會(huì )和技術(shù)演示。 |
