ZT:Moore定律遇到挑戰, 半導體技術(shù)發(fā)展面臨方向性選擇

發(fā)布時(shí)間:2010-4-8 09:31    發(fā)布者:步從容
集成電路特征尺寸已接近22納米。過(guò)了這一節點(diǎn)之后,集成電路工藝就需要做出重大變革。對這一問(wèn)題,業(yè)界很有影響的 EETIMES 雜志最近發(fā)表系列文章進(jìn)行深入分析:

Lithography's generation gap
http://www.eetimes.com/news/semi/showArticle.jhtml?articleID=224000217

Lithography 是集成電路自開(kāi)始以來(lái)一直使用的主流工藝。該文說(shuō),現有的 Lithography 技術(shù)已經(jīng)接近盡頭.如果找不到好的替代技術(shù),那么Moore定律就會(huì )走到盡頭,集成電路的發(fā)展就會(huì )大大減緩。

目前有四種潛在的替代技術(shù)(稱(chēng)為NGL, Next Generation Lithography),它們分別是: EUV, Nanoimprint, multibeam和 self-assembly.

半導體行業(yè)面臨的困境是,不清楚那種技術(shù)真正有前途。

迄今為止, 人們在EUV技術(shù)上花費的投資最多,研發(fā)時(shí)間最長(cháng)。INTEL曾經(jīng)認為,2005年該技術(shù)可以商業(yè)化。但是,INTEL現在把這個(gè)時(shí)間表推到2012年以后。EUV的研發(fā)機構認為他們還需要大量的投資。

有不少人認為,EUV方向走錯了,如果投資于其他技術(shù)更有前途。另一方面,其他幾項技術(shù)目前還處在研究狀態(tài),離開(kāi)商業(yè)化的距離比較遠。

EETIMES說(shuō),半導體行業(yè)處在十字路口,人們不清楚應該繼續向 EUV方向發(fā)展,還是另選其他技術(shù)。

相關(guān)文獻和討論:

EUV camp drops ball on metrology
http://eetimes.com/news/latest/showArticle.jhtml?articleID=224000218

Point/Counterpoint: What's the right path for litho?
http://eetimes.com/news/latest/showArticle.jhtml?articleID=224000269
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