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器件采用7腳D2PAK封裝并具有1.1mΩ的低導通電阻和200A的連續漏極電流 Vishay推出新款通過(guò)AEC-Q101認證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。該器件特別針對“重型”汽車(chē)應用，是Vishay采用兼具低電阻和高電流等級的7腳D2PAK封裝的首款功率MOSFET。 通過(guò)高密度TrenchFET技術(shù)，器件在10V和4.5V下實(shí)現了1.1mΩ和1.3mΩ的超低最大導通電阻，將傳導損耗最小化，并能在更低的溫度下工作。此外，器件的連續漏極電流達200A，幫助工程師設計出更具魯棒性的產(chǎn)品，為關(guān)鍵的安全應用提供額外的安全余量。 
今天發(fā)布的SQM200N04-1m1L適用于電動(dòng)轉向助力等高功率車(chē)用電機驅動(dòng)應用。器件采用了專(zhuān)門(mén)設計，在生產(chǎn)過(guò)程中進(jìn)行了100%的測試，可承受100A和500mJ的單個(gè)雪崩脈沖。器件具有0.4˚C /W的低熱阻(結至外殼)，工作溫度范圍-55˚C～+175˚C。 SQM200N04-1m1L符合RoHS，通過(guò)100%的Rg和UIS測試。器件豐富和擴展了通過(guò)AEC-Q101認證的Vishay TrenchFET功率MOSFET系列，更多信息請訪(fǎng)問(wèn)http://www.vishay.com/mosfets/automotive-mosfets/。 新款車(chē)用功率MOSFET現可提供樣品，并已實(shí)現量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十四周到十六周。 |
