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新思科技公司（Synopsys）日前宣布：該公司與三星在FinFET技術(shù)上的多年合作已經(jīng)實(shí)現了一個(gè)關(guān)鍵性的里程碑，即采用三星的14LPE工藝成功實(shí)現了首款測試芯片的流片。雖然FinFET工藝較傳統的平面工藝在功耗與性能上明顯出超，但從二維晶體管到三維晶體管的轉變帶來(lái)了幾種新的IP及EDA工具挑戰，如建模就是其中的一大挑戰。兩公司多年的合作為FinFET器件的3D寄生參數提取、電路仿真和物理設計規則支持提供了基礎性的建模技術(shù)。而Synopsys的綜合解決方案，涵蓋嵌入式存儲器、物理設計、寄生參數提取、時(shí)序分析及簽核（signoff），全部構建于雙方合作成果的基礎之上。 “FinFET晶體管可以實(shí)現更低的功耗和更高的器件性能，但是它們也同時(shí)帶來(lái)了嚴峻的挑戰，”三星電子器件解決方案部負責系統LSI底層架構設計中心的副總裁Kyu-Myung Choi博士說(shuō)道�！拔覀冎赃x擇Synopsys作為我們的FinFET技術(shù)合作伙伴來(lái)解決這些挑戰，是因為我們在20納米和其它節點(diǎn)上的成功合作記錄。我們將繼續匯聚我們的專(zhuān)有技術(shù)來(lái)提供創(chuàng )新的FinFET解決方案�！� Synopsys的具備FinFET能力的IP Synopsys與三星通過(guò)緊密合作開(kāi)發(fā)了一款測試芯片，它可以用來(lái)驗證三星先進(jìn)的14納米FinFET工藝以及Synopsys的DesignWare嵌入式存儲器，后者采用了Synopsys 的STAR（自測試和自修復）存儲系統解決方案。該測試芯片實(shí)現了仿真模型與FinFET工藝的相互關(guān)聯(lián)，同時(shí)包含了測試結構、標準單元、一個(gè)鎖相環(huán)（PLL）以及多個(gè)嵌入式SRAM。存儲器實(shí)體包括專(zhuān)為在非常低的電壓下運行而設計的高密度SRAM和可驗證工藝性能的高速SRAM。 Synopsys面向FinFET工藝的設計工具 從平面到基于FinFET的3D晶體管的轉變是一項重大改變，它需要工具開(kāi)發(fā)商、晶圓代工廠(chǎng)和早期采用者之間緊密的技術(shù)協(xié)作，以提供一種強大的解決方案。Synopsys的高精確度建模技術(shù)為具備FinFET的Galaxy Implementation Platform實(shí)現平臺奠定了基礎。該平臺包括IC Compiler物理設計、IC Validator物理驗證、StarRC™寄生參數提取、SiliconSmart特征描述、用于FastSPICE仿真的CustomSim™和FineSim以及HSPICE器件建模和電路仿真。 “三星電子一直是我們共同投入和投資的一個(gè)核心伙伴，共同致力于為FinFET技術(shù)開(kāi)發(fā)完整的解決方案，” Synopsys高級副總裁兼設計實(shí)現部總經(jīng)理Antun Domic說(shuō)道�！癝ynopsys與三星的廣泛合作使我們能夠提供業(yè)內頂級的技術(shù)和IP，以幫助設計師們實(shí)現FinFET晶體管設計的全部潛在優(yōu)勢�！� |
