英飛凌推出高壓功率MOSFET新型8x8無(wú)管腳SMD封裝

發(fā)布時(shí)間:2010-5-10 10:58    發(fā)布者:嵌入式公社
關(guān)鍵詞: MOSFET , SMD , 高壓 , 功率 , 英飛凌
英飛凌科技股份公司推出適用于高壓功率MOSFET的全新無(wú)管腳SMD封裝ThinPAK 8x8。新封裝的占板空間僅為64平方毫米(D2PAK的占板空間為150平方毫米),高度僅為1毫米(D2PAK的高度為4.4毫米)。大幅縮小的封裝尺寸結合低寄生電感,使設計者能以全新方式有效降低高功率密度應用所需的系統解決方案尺寸。

全新封裝采用表面貼裝方式,在8x8毫米的無(wú)管腳封裝內,貼裝業(yè)界標準TO-220晶粒,并具備金屬裸焊盤(pán),便于內部高效散熱。其低矮外形便于設計者設計出更薄的電源外殼,滿(mǎn)足當今市場(chǎng)對時(shí)尚纖巧新品的需求。目前有兩家公司可推出這種新封裝:英飛凌和意法半導體將推出采用這種創(chuàng )新封裝的MOSFET,分別為T(mén)hinPAK 8x8(英飛凌)和PowerFLAT 8x8 HV(意法半導體),為客戶(hù)提供不同的優(yōu)質(zhì)選擇。

ThinPAK 8x8封裝不僅具備2nH的極低寄生電感(D2PAK的寄生電感為6nH)、與D2PAK類(lèi)似的散熱性能,而且其獨立的驅動(dòng)源連接點(diǎn)可以保證干凈的柵極信號。因此,ThinPAK 8x8封裝可使功率MOSFET實(shí)現更快速、高效的開(kāi)關(guān),更輕松地處理開(kāi)關(guān)行為和電磁干擾。

初期,英飛凌將推出三款采用這種新封裝的600V CoolMOS 器件:199毫歐(IPL60R199CP)、299毫歐(IPL60R299CP)和385毫歐(IPL60R385CP)。

供貨
采用ThinPAK 8x8封裝的新器件樣品目前已開(kāi)始提供。量產(chǎn)時(shí)間可根據從訂貨到交貨的標準周期確定。

更多信息
有關(guān)ThinPAK 8x8封裝和英飛凌MOSFET產(chǎn)品組合的更多信息可在www.infineon.com/thinpak8x8網(wǎng)站找到。
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