Cadence解決方案助力創(chuàng )意電子20納米SoC測試芯片成功流片

發(fā)布時(shí)間:2013-7-10 10:24    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 20nm , 流片 , Cadence Encounter
Cadence Encounter數字實(shí)現系統與Cadence光刻物理分析器可降低風(fēng)險并縮短設計周期

Cadence設計系統公司宣布,設計服務(wù)公司創(chuàng )意電子(GUC)使用Cadence Encounter數字實(shí)現系統(EDI)和Cadence光刻物理分析器成功完成20納米系統級芯片(SoC)測試芯片流片。雙方工程師通過(guò)緊密合作,運用Cadence解決方案克服實(shí)施和可制造性設計(DFM)驗證挑戰,并最終完成設計。

在開(kāi)發(fā)過(guò)程中,創(chuàng )意電子使用Cadence Encounter解決方案用于支持20納米布局布線(xiàn)流程所有的復雜步驟,包括雙圖形庫的制備、布局、時(shí)鐘樹(shù)綜合、保持固定、布線(xiàn)和布線(xiàn)后優(yōu)化。創(chuàng )意公司還使用Cadence Litho Physical Analyzer ( 光刻物理分析器)用于DFM驗證,將20納米工藝變化的不確定性變成可預見(jiàn)影響從而有助于縮短設計周期。

“我們選擇Cadence作為這項開(kāi)發(fā)的合作伙伴是由于Cadence在高級節點(diǎn)方面具有被證實(shí)的經(jīng)驗,” 創(chuàng )意電子設計方法部總監曾凱文先生表示!芭_積電工藝20納米SoC測試芯片的成功流片是雙方緊密合作和Cadence Encounter與DFM解決方案高性能表現的直接成果!

“隨著(zhù)客戶(hù)轉向20納米,他們正面臨新的挑戰,例如雙成形和工藝變化等都大大增加了風(fēng)險,”Cadence Silicon Realization集團研發(fā)高級副總裁徐季平博士表示!癈adence已在實(shí)施和DFM驗證工具方面解決了這些高級節點(diǎn)的挑戰。公司正與合作伙伴緊密協(xié)作來(lái)驗證這些新流程以降低風(fēng)險,使其更容易讓客戶(hù)胸有成竹轉向20納米制程節點(diǎn)。


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