英特爾首批20A和18A測試芯片已經(jīng)流片

發(fā)布時(shí)間:2023-3-8 09:50    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 英特爾 , 20A , 18A , 流片
來(lái)源:全球半導體觀(guān)察整理

英特爾中國區總裁王瑞在近期的一次活動(dòng)中透露了英特爾各項制程的最新進(jìn)展,王銳透露,Intel 7已經(jīng)批量生產(chǎn),Intel 4今年下半年將會(huì )入場(chǎng),Intel 3的進(jìn)度也如預期良好,而最先進(jìn)Intel20A(2納米級)、Intel 18A(1.8納米級)流片也已經(jīng)出來(lái)。

這些工藝將用于制造公司自己的產(chǎn)品,以及為其英特爾代工服務(wù)(IFS)部門(mén)的客戶(hù)生產(chǎn)的芯片。王瑞表示,但這并不意味著(zhù)生產(chǎn)節點(diǎn)已準備好用于商業(yè)制造,而是英特爾已經(jīng)確定了這兩種技術(shù)的所有規格、材料、要求和性能目標。


圖片來(lái)源:Intel官網(wǎng)

官方資料顯示,英特爾的20A制造工藝將依賴(lài)于全門(mén)控環(huán)繞RibbonFET晶體管,并采用背面供電。同時(shí)縮小金屬間距、引入全新的晶體管結構和背面供電是一項高風(fēng)險的舉措,但預計20A將使英特爾超越臺積電和三星兩位強有力的競爭對手。

英特爾計劃在2024年上半年開(kāi)始使用這個(gè)節點(diǎn)。按照目前行業(yè)各大企業(yè)進(jìn)度看,英特爾的20A將是業(yè)界首個(gè)2nm級節點(diǎn),在2024年,它將與臺積電專(zhuān)為提高晶體管密度和性能而設計的第三代3納米級(N3S、N3P)工藝技術(shù)展開(kāi)競爭。

英特爾的18A制造工藝將進(jìn)一步完善公司的RibbonFET和PowerVia技術(shù),并縮小晶體管尺寸。該節點(diǎn)的開(kāi)發(fā)進(jìn)展順利,以至于英特爾將其推出時(shí)間從2025年提前到2024年下半年。英特爾最初計劃在其1.8埃節點(diǎn)上使用ASML的Twinscan EXE掃描儀,數值孔徑(NA)光學(xué)為0.55,但由于決定盡早使用該技術(shù),它將不得不廣泛使用現有的Twinscan NXE掃描儀,光學(xué)NA為0.33,以及EUV雙重圖案。

該公司預計,當其1.8納米級制造技術(shù)在2024年下半年進(jìn)入高產(chǎn)量制造時(shí),它將成為行業(yè)最先進(jìn)的節點(diǎn)。

英特爾的20A和18A制造工藝既為公司自身產(chǎn)品的生產(chǎn)開(kāi)發(fā),也將用于Intel Foundry Services (IFS)事業(yè)部為其代工客戶(hù)生產(chǎn)芯片。

在英特爾最新發(fā)布的2022年第四季度和全年財報中,英特爾營(yíng)收和凈利數據皆不理想,創(chuàng )下近年來(lái)虧損新低。對此,王銳也援引行業(yè)觀(guān)點(diǎn)——體量如英特爾的半導體公司,全面轉型通?缍刃枰4到5年——以期產(chǎn)業(yè)用更長(cháng)遠的眼光,來(lái)看待這家正在完成自我革新的老牌巨頭。

英特爾的首席執行官Pat Gelsinger在最近與分析師和投資者的電話(huà)會(huì )議上表示:“我們與10大代工客戶(hù)中的七家保持著(zhù)積極的合作關(guān)系,并持續擴大合作伙伴生態(tài)系統的增長(cháng),目前已經(jīng)有43個(gè)潛在客戶(hù)和生態(tài)系統合作伙伴進(jìn)行測試芯片!贝送,我們在Intel 18A方面仍在取得進(jìn)展,已經(jīng)與我們的主要客戶(hù)分享了PDK 0.5(工藝設計工具包)的工程版本,并預計在未來(lái)幾周內發(fā)布最終生產(chǎn)版本!
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