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中國青年報 記者 張國，通訊員 王青 4年前實(shí)驗室人員的一個(gè)疏忽，卻導致了一個(gè)意外發(fā)現，最終成就了一個(gè)世界首創(chuàng )的工藝。最近，天津大學(xué)材料學(xué)院量子點(diǎn)材料與器件研究組開(kāi)發(fā)出了環(huán)保高效的單分散量子點(diǎn)合成新工藝，成果發(fā)表在《Nature Communications》(《自然通信》)雜志上，這是世界上首次報道用物理方法合成單分散量子點(diǎn)，與化學(xué)方法相比更加高效。 論文通訊作者、天津大學(xué)材料學(xué)院教授杜希文說(shuō)，當半導體材料直徑在幾納米大小時(shí)，可表現出許多獨特的物理性質(zhì)。如大家熟知的硅，正常體積下將太陽(yáng)能轉換電能的最高效率為33%，但是當硅的體積為4納米左右時(shí)，效率可以提高到66%。有的材料則能發(fā)出特別光，如果在腫瘤的抗體藥物上攜帶納米級別的發(fā)光材料，可以非常準確地標記出腫瘤的位置，為醫生判斷病情、尋找病灶提供幫助。正是因為這些量子點(diǎn)(又稱(chēng)為半導體納米晶)具備這樣神奇的能力，因此目前是各國科研人員研發(fā)的熱點(diǎn)。 杜希文說(shuō)，傳統的機械工藝最多能將半導體材料粉碎到微米的程度，體積是納米級別的上千倍。過(guò)去一直通過(guò)濕化學(xué)方法，利用集中化學(xué)物品之間的反應，制得量子點(diǎn)材料。但是這種方法耗時(shí)長(cháng)，少則幾個(gè)小時(shí)多則幾天，還會(huì )產(chǎn)生大量的污染物，對環(huán)境造成負擔。 4年前，杜希文教授實(shí)驗室的一名學(xué)生做用激光將金屬靶打碎成金屬粒的實(shí)驗。該實(shí)驗一般只需用激光照射金屬靶3分鐘左右，但學(xué)生中途離開(kāi)，放任激光照射金屬靶達4個(gè)多小時(shí)。該團隊隨后發(fā)現，金屬靶被打成了尺寸為幾納米的金屬粒子，這樣的結果比以前要理想多了。他們轉而把這一“奇怪”現象作為一項研究重點(diǎn)，探索如何利用激光把半導體材料 “敲成”納米大小的均勻顆粒。最終歷時(shí)4年，在這一領(lǐng)域探索出了合成單分散量子點(diǎn)的物理方法。 利用激光這把“錘子”，科學(xué)家們可以根據實(shí)際需要“變化”力度，精確控制半導體材料的具體尺寸。 相比濕化學(xué)方法，這種世界首創(chuàng )的方法耗時(shí)短，一次僅需20多分鐘，獲得的量子點(diǎn)大小更均勻，表面沒(méi)有化學(xué)藥物，非常潔凈。杜希文說(shuō)，預計未來(lái)這一工藝可以幫助獲得更加廉價(jià)的量子點(diǎn)，使其在疾病診斷、水污染檢測、光電轉換等領(lǐng)域發(fā)揮更加顯著(zhù)的作用。 |
