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來(lái)源：IT之家 7月24日消息，半導體材料是一種導電能力介于導體和絕緣體之間、可用來(lái)制作半導體器件和集成電路的電子材料，例如硼、金剛石、鍺、硅、灰錫、銻、硒、碲等，或者 SiC 這種合成材料。 現階段，人類(lèi)文明現代科技便是建立在以硅為代表的這類(lèi)半導體材料之上的成果，從太陽(yáng)能電池到芯片都離不開(kāi)它，但因導熱和其它原因硅也注定了無(wú)法成為最理想的半導體材料。 7月22日，來(lái)自美國麻省理工學(xué)院、休斯頓大學(xué)和其它機構的科研團隊發(fā)現了一種名為“立方砷化硼”的材料突破了這兩個(gè)限制，它既能為電子和空穴提供高遷移率，又有優(yōu)良的導電率，而且還具有極高的導熱特性。 科學(xué)家表示，這是迄今為止發(fā)現的最好的半導體材料，或許放眼未來(lái)也會(huì )是最好的那個(gè)。相關(guān)成果已經(jīng)發(fā)表在近期的《科學(xué)》雜志上，作者欄中包括多位華人，例如麻省理工學(xué)院機械工程教授陳剛、中科院任志峰（休斯敦大學(xué)）等。 當然，到目前為止，立方砷化硼還只能在實(shí)驗室小規模量產(chǎn)和測試，而且不均勻。我們還需要做更多的工作來(lái)確定立方砷化硼是否能以一種實(shí)用、經(jīng)濟的形式制造出來(lái)，目前來(lái)看要想取代地球上無(wú)處不在的硅還有很長(cháng)一段路要走。但研究人員說(shuō)，即使在不久的將來(lái)，這種材料也可能找到一些用途，使其獨特的特性產(chǎn)生重大影響。 此次的科研成果涉及到麻省理工學(xué)院、休斯頓大學(xué)、得克薩斯大學(xué)奧斯汀分校和波士頓學(xué)院的其他14所大學(xué)。包括這篇新論文的合著(zhù)者大衛・布羅伊多 (David Broido) 在內的早期研究，從理論上預測這種材料將具有較高的熱導率，并在隨后的工作中證實(shí)了這一預測。 IT之家了解到，這項工作通過(guò)實(shí)驗證實(shí)了陳剛團隊在 2018 年提出的一個(gè)預測并完成分析：立方砷化硼對電子和空穴也有很高的遷移率，“這使這種材料真正變得獨特，”他表示。 他們還表明，這種材料有一個(gè)非常好的帶隙（能系，泛指半導體或絕緣體的價(jià)帶頂端至傳導帶底端的能量差距），這一特性賦予了它作為半導體材料的巨大潛力。 這項新工作證實(shí)，砷化硼具有高電子和空穴遷移率，具有理想半導體所需的所有主要品質(zhì)�！斑@很重要，因為當然在半導體中，我們同時(shí)有正電荷和負電荷。所以，如果你要制造一個(gè)芯片，你需要一種電子和空穴阻力都較小的材料，”陳剛表示。 據介紹，目前普遍使用的硅具有良好的電子遷移率，但空穴遷移率較差，而其他材料（如廣泛用于激光器的砷化鎵）同樣具有良好的電子遷移率，但對空穴不具有良好的遷移率。 “熱量現在是許多電子產(chǎn)品的主要瓶頸，”該論文的主要作者 Shin 稱(chēng)，“碳化硅正在取得包括特斯拉在內的主要電動(dòng)汽車(chē)行業(yè)的青睞，因為盡管它電遷移率較低，但其導熱率是硅的三倍。想象一下砷化硼可以達到什么效果，其導熱率和遷移率比硅高 10 倍。這足以改變游戲規則�！� Shin 補充道，立方砷化硼的電子特性最初是根據陳剛團隊所做的量子力學(xué)密度函數計算來(lái)預測的，現在這些預測已經(jīng)通過(guò)在 MIT 進(jìn)行的實(shí)驗得到驗證，該實(shí)驗使用了光學(xué)檢測方法對他們和休斯頓大學(xué)團隊成員制作的樣品進(jìn)行檢測。 研究人員說(shuō)，這種材料的熱導率不僅是所有半導體中最好的，而且甚至可以在所有材料熱導率中排到第三 —— 僅次于金剛石和富含同位素的立方氮化硼�！艾F在，我們也從第一原理預測了電子和空穴的量子力學(xué)行為，這也被證明是正確的”。 “這令人印象深刻，因為除了石墨烯之外，我實(shí)際上不知道有任何其他材料具有所有這些特性，”他說(shuō)�！斑@是一種具有這些特性的散裝材料�！� 當然，陳剛也強調，雖然它的熱性能和電性能都已被證明非常出色，但這種材料的許多其他性能還有待測試，例如其長(cháng)期穩定性。 他補充說(shuō)，“這可能非常重要，人們甚至沒(méi)有真正關(guān)注過(guò)這種材料�！� 現在，砷化硼的理想特性已經(jīng)變得更加清晰，這表明該材料“在許多方面都是最好的半導體”。 |
