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來(lái)源：cnBeta 三星宣布與合作伙伴一同發(fā)現了一種名為非晶氮化硼（a-BN）的新材料。其在三星先進(jìn)技術(shù)研究院(SAIT)的研究人員與蔚山國立科學(xué)技術(shù)研究院(UNIST)以及劍橋大學(xué)合作進(jìn)行了這一發(fā)現。合作者在《自然》雜志上發(fā)表了他們的研究成果，并認為這種材料將 "加速下一代半導體的出現"。 三星在解釋新發(fā)現的非晶氮化硼時(shí)表示，它由硼和氮原子組成，具有非晶分子結構，新材料來(lái)源于白色石墨烯，但不同的分子結構使得a-BN與白色石墨烯 "有獨特的區別"。 三星表示，a-BN有望廣泛應用于DRAM和NAND解決方案，因為它能夠最大限度地減少電干擾，并且可以在400℃的相對低溫下完成晶圓的規模生長(cháng)。 石墨烯項目負責人、SAIT首席研究員Hyeon-Jin Shin在評論這種材料時(shí)說(shuō)。 "為了提高石墨烯與硅基半導體工藝的兼容性，應在低于400℃的溫度下實(shí)現半導體基板上的晶圓級石墨烯生長(cháng)。我們也在不斷努力，將石墨烯的應用擴展到半導體之外。" 該公司沒(méi)有給出希望何時(shí)開(kāi)始在其硬件產(chǎn)品中使用這種新材料的日期，但表示可以將其應用于半導體，特別是大規模服務(wù)器的下一代存儲器解決方案中的DRAM和NAND方案。 |
