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業(yè)界首款集成肖特基且具有低漏電流性能的MOSFET 恩智浦半導體(NXP)推出NextPowerS3——一款全新高性能30V MOSFET平臺,使用恩智浦特有的“SchottkyPlus”技術(shù)。NextPowerS3是業(yè)界首款能夠提供高頻率、低峰值性能的MOSFET，通常只有集成肖特基或類(lèi)似肖特基二極管的MOSFET才具有這種性能，而且這種MOSFET沒(méi)有令人煩惱的高漏電流問(wèn)題。NextPowerS3 30V的產(chǎn)品適合于各種應用，包括用于通信和云端計算機所需要的高效率電源、高性能便攜式計算機電源和電池供電式電機控制，如可充電電動(dòng)工具。 
最近幾年的趨勢是研發(fā)高頻應用的MOSFET，努力降低開(kāi)關(guān)損耗并提高開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)設計的效率。然而，更高的開(kāi)關(guān)速度會(huì )產(chǎn)生更高開(kāi)關(guān)節點(diǎn)電壓尖峰、耦合柵極毛刺等問(wèn)題，并且會(huì )帶來(lái)電壓擊穿、影響EMI和可靠性等潛在問(wèn)題。 一種廣泛使用的解決方案是將肖特基二極管和類(lèi)似肖特基二極管集成在MOSFET結構中。然而，肖特基二極管產(chǎn)生高漏電流（特別是在高溫環(huán)境下），會(huì )影響效率、電池壽命和制造過(guò)程中的次品鑒別能力，但是恩智浦的NextPowerS3系列產(chǎn)品結合帶軟恢復功能的超快速開(kāi)關(guān)性能，解決了所有這些問(wèn)題，可提供更高的效率和更高的功率密度，同時(shí)能將電壓尖峰保持在可控范圍內，并將漏電流限制在1 µA以?xún)取?br /> 恩智浦半導體MOSFET營(yíng)銷(xiāo)與業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)總經(jīng)理Chris Boyce表示：“大家都知道肖特基二極管漏電流很?chē)乐�，特別是在高溫環(huán)境下。雖然通過(guò)設計有可能將漏電流控制在1 mA或2 mA左右，但最大的問(wèn)題是因此帶來(lái)質(zhì)量的問(wèn)題。因此，我們將漏電流作為推動(dòng)零缺陷制造的重要指標。從一堆固有高漏電流的器件中找出缺陷器件就像在警報聲中聽(tīng)清耳語(yǔ)一樣困難。NextPowerS3的亞微安漏電流意味著(zhù)恩智浦的產(chǎn)品不存在這種問(wèn)題�！� 功能 • 通過(guò)超低Qg、Qgd和Coss獲得較高系統效率 • 降低開(kāi)關(guān)節點(diǎn)電壓尖峰；低EMI • 特有的SchottkyPlus技術(shù)；集成式肖特基性能且無(wú)高漏電流 • 無(wú)焊線(xiàn)，無(wú)膠合；結溫為175°C 鏈接 • NextPower S3 MOSFET： www.nxp.com/nextpowerS3 • PSMN4R0-30YLD： http://www.nxp.com/pip/PSMN4R0-30YLD • PSMN6R0-30YLD： http://www.nxp.com/pip/PSMN6R0-30YLD • PSMN6R1-30YLD： http://www.nxp.com/pip/PSMN6R1-30YLD |
