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非對稱(chēng)封裝優(yōu)化低邊MOSFET的RDS(on)，在同步DC/DC轉換器中可節省空間 Vishay推出通過(guò)AEC-Q101認證的采用非對稱(chēng)PowerPAK SO-8L封裝的新款40V雙芯片N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。Vishay Siliconix 的這兩款器件可用于車(chē)載應用，把高效同步DC/DC降壓轉換器所需的高邊和低邊MOSFET都組合進(jìn)小尺寸5mm x 6mm封裝里，比使用分立MOSFET的方案節省空間，低邊MOSFET的最大導通電阻低至6.4mΩ。 今天發(fā)布的這些MOSFET是業(yè)內首批通過(guò)汽車(chē)級認證的采用非對稱(chēng)封裝的雙芯片MOSFET，為降低傳導損耗，增大了低邊MOSFET的尺寸。器件可在+175℃高溫下工作，具有車(chē)內任何位置的應用所需的耐用性和可靠性。器件尤其適用于車(chē)載通信娛樂(lè )系統，例如收音機和GPS系統。 SQJ940EP和SQJ942EP使設計者能夠選用不同的導通電阻值。在10V電壓下，SQJ940EP的溝道2低邊MOSFET的最大導通電阻為6.4mΩ，溝道1高邊MOSFET的導通電阻為16mΩ。與雙芯片對稱(chēng)方案相比，SQJ940EP的低邊導通電阻低31%，而尺寸同樣小巧。SQJ942EP在10V下的最大低邊導通電阻為11mΩ，高邊MOSFET的導通電阻為22mΩ。 這些MOSFET通過(guò)了100%的Rg和UIS測試，符合RoHS，無(wú)鹵素。 器件規格表：
SQJ940EP和SQJ942EP現可提供樣品，并已實(shí)現量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十四周到十六周。 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
