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采用PowerPAK SO-8L和DPAK封裝的100V N溝道器件具有8.9mΩ的RDS(ON)，占位面積為5mm x 6mm Vishay發(fā)布首顆通過(guò)AEC-Q101認證的采用ThunderFET技術(shù)的TrenchFET功率MOSFET。為提高效率和節省汽車(chē)應用里的空間，Vishay Siliconix 100V N溝道SQJ402EP、SQJ488EP和SQD50N10-8m9L提供了PowerPAK SO-8L和DPAK封裝的產(chǎn)品中最低的導通電阻。 
Vishay的ThunderFET技術(shù)可在單位晶粒面積內實(shí)現更低的導通電阻。在更低導通電阻是決定因素的應用場(chǎng)合，這項技術(shù)使采用DPAK封裝的SQD50N10-8m9L在10V下實(shí)現了8.9mΩ的超低導通電阻；在空間是首要因素的時(shí)候，SQJ402EP和SQJ488EP在10V下11mΩ的導通電阻與之相近，而小尺寸5mm x 6mm PowerPAK SO-8L封裝的尺寸只有DPAK封裝的一半。 今天推出的這些MOSFET的連續漏極電流達到50A，適用于汽車(chē)發(fā)動(dòng)機控制單元里的噴射增壓應用和照明控制單元里用于照明鎮流器的反激式轉換器。器件的柵極電荷低至18nC，具有低導通電阻與柵極電荷乘積(該參數是DC/DC轉換器里MOSFET的優(yōu)值系數)，可減少開(kāi)關(guān)損耗，并提高整體系統效率。 SQJ402EP、SQJ488EP和SQD50N10-8m9L通過(guò)了100%的Rg和UIS測試，符合JEDEC JS709A的無(wú)鹵素規定和RoHS指令2011/65/EU。器件的工作溫度為-55℃～+175℃。 器件規格表：
SQJ402EP、SQJ488EP和SQD50N10-8m9L已加入Vishay此前發(fā)布的通過(guò)AEC-Q101認證的SQ Rugged系列。欲了解全部SQ系列器件的更多信息，請訪(fǎng)問(wèn)http://www.vishay.com/mosfets/automotive-mosfets/。 新款車(chē)用MOSFET現可提供樣品，并已實(shí)現量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十六周。 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
