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最新中壓功率 MOSFET 采用 TO-220 封裝，包括最低導通電阻 80V 及 100V 器件 德州儀器 (TI) 宣布推出 14 款采用 TO-220 及 SON 封裝的功率 MOSFET，其支持 40V 至 100V 輸入電壓，進(jìn)一步壯大了 TI 普及型 NexFET 產(chǎn)品陣營(yíng)。高效率 NexFET 包括 40V、60V、80V 以及 100V N 通道器件，可為廣泛大電流電機控制及電源應用提供優(yōu)異的散熱性能。如欲訂購樣片或查看全部產(chǎn)品列表，敬請訪(fǎng)問(wèn)：www.ti.com.cn/mvnexfet-pr-cn 最低導通電阻 兩款最新 80V 及 100V NexFET 器件可在不影響高柵極電荷的情況下，通過(guò) TO-220 封裝實(shí)現業(yè)界最低導通電阻，從而可在更大電流下為設計人員提供更高的電源轉換效率。CSD19506 可在高達 80V 的輸入電壓下支持 2.0 毫歐姆的導通電阻，而 CSD19536 則可在 100V 輸入電壓下支持 2.3 毫歐姆的導通電阻。這兩款產(chǎn)品都采用支持高雪崩性能的塑料封裝，支持高應力電機控制應用。此外，設計人員還可通過(guò)訪(fǎng)問(wèn) TI 獲獎的 WEBENCH 在線(xiàn)設計工具便捷選擇最新產(chǎn)品，模擬電源設計。 簡(jiǎn)單易用的評估板 TI 還基于 60V NexFET 產(chǎn)品推出了幾款簡(jiǎn)單易用的評估板，都可通過(guò) TI eStore 訂購： • 步進(jìn)電機前置驅動(dòng)器：DRV8711EVM 評估板基于 DRV8711 步進(jìn)電機控制器，與 NexFET 器件搭配，可驅動(dòng)一個(gè)大電流雙極步進(jìn)電機或兩個(gè)有刷 DC 電機； • 電機驅動(dòng) BoosterPack：BOOSTXL-DRV8301 套件是基于 DRV8301 前置驅動(dòng)器的 10A 三相位無(wú)刷 DC 驅動(dòng)級，適用于學(xué)習無(wú)傳感器無(wú)刷控制技術(shù)以及驅動(dòng)級設計的人員； • 數字電源：UCD3138PSFBEVM-027 可幫助電源開(kāi)發(fā)人員設計數控移相離線(xiàn) 12V、360W 電源轉換器應用； • 負載點(diǎn)控制：TPS40170EVM-597 評估板支持 TI 具有 2 個(gè) NexFET 器件的 TPS40170 同步降壓控制器。 關(guān)于 NexFET 功率 MOSFET TI NexFET 功率 MOSFET 技術(shù)可提升高功率計算、網(wǎng)絡(luò )、工業(yè)以及電源的能源效率。這些高頻率、高效率模擬功率 MOSFET 可為系統設計人員提供現已上市的最高級 DC/DC 電源轉換解決方案。 供貨情況 CSD19506KCS 與 CSD19536KCSN 通道器件現已開(kāi)始批量供貨，可通過(guò) TI 及其授權分銷(xiāo)商全球網(wǎng)絡(luò )進(jìn)行訂購。每款產(chǎn)品都采用 3 引腳標準 TO-220 封裝。此外，TI 還提供采用無(wú)引線(xiàn) 5 毫米 × 6 毫米 SON 封裝的 40V、60V、80V 以及 100V FET。 |
