|
道康寧公司今天推出全新碳化硅（SiC）晶體分級結構，為碳化硅晶體創(chuàng )立了行業(yè)新標準。新分級結構對相關(guān)致命性產(chǎn)品缺陷，如微管位錯（MPD）、螺紋螺位錯（TSD）、和基面位錯（ BPD）等，具有更嚴格的容忍度。 這一開(kāi)創(chuàng )性分級結構旨在優(yōu)化使用道康寧高品質(zhì)Prime Grade系列100 mm 碳化硅晶片設計和制造的新一代電力電子器件的設計自由度、性能和成本。道康寧公司目前向市場(chǎng)提供Prime Standard、Prime Select 和 Prime Ultra的三種不同品質(zhì)的新型碳化硅襯底。 “作為先進(jìn)碳化硅材料技術(shù)的全球領(lǐng)先企業(yè)，道康寧公司認識到，寬帶隙半導體技術(shù)在提供高品質(zhì)產(chǎn)品的同時(shí)，更應著(zhù)眼于賦予客戶(hù)卓越的整體價(jià)值，”道康寧公司首席技術(shù)官Gregg Zank表示。 “這種全新碳化硅晶體分級結構是道康寧公司為行業(yè)帶來(lái)的又一項首創(chuàng )，完全契合我們的這種理念，它也是我們與全球電力電子器件領(lǐng)先制造商密切合作的成果，不同的選擇有助于幫助他們以最優(yōu)的成本，快速實(shí)現其不斷發(fā)展和創(chuàng )新的設計目標�！� 道康寧公司新產(chǎn)品分級結構中的各個(gè)Prime Grade系列晶圓產(chǎn)品為缺陷密度及其他關(guān)鍵性能設置了更嚴格的公差范圍，客戶(hù)可以根據特定器件的應用要求，在硅片質(zhì)量和價(jià)格之間獲得最好的平衡。 雖然已有不少碳化硅襯底制造商承諾要降低微管密度，但道康寧公司是首家對包括TSD及BPD在內的其它致命性缺陷公差作出明確定義的企業(yè)。這些缺陷會(huì )降低器件的成品率及生產(chǎn)效率，且會(huì )影響大面積、新一代電力電子器件制造的成本效益。 道康寧公司全部Prime Grade系列100 mm碳化硅晶片具有一貫優(yōu)良的機械特性，確保與現有的和正在開(kāi)發(fā)的設備制造工藝相容。Prime Grade系列產(chǎn)品包括： • Prime Standard碳化硅晶片：可確保MPD≤0.5 cm-2，對于簡(jiǎn)單碳化硅電力電子器件的設計，如肖特基或結勢壘肖特基二極管，是一種可在性能和成本之間獲得平衡的極有吸引力的選擇方案，適用于較低到中等額定電流值。 • Prime Select碳化硅晶片：公差更嚴格（MPD≤0.5 cm-2）和（BPD ≤800 cm-2），適用于要求更高的碳化硅設備，如直插式二極管或開(kāi)關(guān)。 • Prime Ultra碳化硅晶片：可滿(mǎn)足對晶體質(zhì)量要求最高的高功率器件的設計。這一等級的碳化硅襯底MPD（≤0.1 cm-2），BPD（≤500 cm-2），TSD （≤300 cm-2）極低，晶片電阻率分布范緊密，適用于當今最先進(jìn)的碳化硅電力電子器件的設計，包括金屬 - 氧化物 - 半導體場(chǎng)效應晶體管（MOSFET）、結柵場(chǎng)效應晶體管（JFET）、絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）、以及雙極型晶體管（BJT）或直插式二極管交換設備。此外，這一等級基材品質(zhì)優(yōu)異，在高電壓（3.3 kV及更高版本）和大額定電流設備中使用非常有優(yōu)勢。 “對不同等級晶片品質(zhì)的公差進(jìn)行精確界定，加上道康寧公司極具競爭力的定價(jià)結構，反映了公司對硅基半導體市場(chǎng)中不同競爭需求的深刻把握，”道康寧公司化合物半導體解決方案副總裁Tang Yong Ang表示，“道康寧公司在卓越的技術(shù)、應用專(zhuān)業(yè)的知識和硅材料協(xié)同創(chuàng )新方面擁有深厚的積淀，同時(shí)又能將之應用到新一代化合物半導體技術(shù)發(fā)展之上，很少有競爭對手能做到這點(diǎn)。憑借這種全新晶片分級結構，我們希望為業(yè)界帶來(lái)具有高品質(zhì)的碳化硅襯底，幫助世界各地的客戶(hù)在快速增長(cháng)的電力電子行業(yè)展開(kāi)競爭并取得成功。 有關(guān)100 mm碳化硅晶片的Prime Standard、Prime Select 和 Prime Ultra等級標準，可從道康寧公司全球各個(gè)機構獲取，供標準化生產(chǎn)的開(kāi)發(fā)和打樣之用。 |
