IR為工業(yè)應用推出大罐式DirectFET MOSFET系列,具備極低導通電阻

發(fā)布時(shí)間:2014-6-19 11:20    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: DirectFET , MOSFET
國際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出大罐式DirectFET MOSFET系列,適用于要求極低導通電阻 (RDS(on)) 的工業(yè)應用,包括大功率直流電機,直流/交流逆變器,以及動(dòng)態(tài)ORing熱插拔和電熔絲等大電流開(kāi)關(guān)應用。



全新7mm x 9mm x 0.7mm大罐式封裝器件提供卓越的導通電阻性能,從而實(shí)現較低的導通損耗和更理想的系統效率。這款大罐式產(chǎn)品與中罐式和小罐式DirectFET器件相似,具備雙面散熱功能,可提供最佳傳熱性能,提升功率密度。由于提供最佳的裸片對占位面積比,DirectFET可有效縮減電路板尺寸。新器件還具備0.7mm的超薄厚度,為受空間限制的高功率工業(yè)電源設計提供理想的解決方案。

與DirectFET系列的其它器件一樣,全新的工業(yè)用大罐式封裝器件提供能改善可靠性的無(wú)鍵合線(xiàn)設計。DirectFET封裝符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規定 (RoHS) 的所有要求,例如提供完全不含鉛的物料清單,因此非常適合長(cháng)生命周期的設計。而其它同類(lèi)型的高性能封裝則包含采用含鉛的裸片貼裝,雖然符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規定第7(a) 項豁免條款,但這項豁免將于2016年到期。

IR亞太區銷(xiāo)售副總裁潘大偉表示:“DirectFET系列新增大罐式封裝器件后,繼續領(lǐng)先業(yè)界成為市場(chǎng)上最可靠、最高性能的MOSFET封裝產(chǎn)品之一。全新大罐式DirectFET系列的占位面積比D2PAK等傳統的大型塑料表面貼裝功率封裝顯著(zhù)減小,而且增加了上方散熱性能,因而非常適合空間受限的長(cháng)壽命工業(yè)電源設計!

全新40V到150V大罐式封裝器件符合第一級濕度敏感度業(yè)界標準 (MSL1)。

規格
器件編號Vdss10V下的最高導通電阻Id (A)Qg (nc)品質(zhì)級別
IRF7739L1TRPBF
40
1.0 mΩ270220工業(yè)級
IRF7749L1TRPBF
60
1.5 mΩ200200工業(yè)級
IRF7748L1TRPBF
60
2.2mΩ138148工業(yè)級
IRF7759L2TRPBF
75
2.3mΩ160200工業(yè)級
IRF7769L1TRPBF
100
3.5mΩ124200工業(yè)級
IRF7779L2TRPBF
150
11mΩ6797工業(yè)級

產(chǎn)品現正接受批量訂單。相關(guān)數據和MOSFET產(chǎn)品選型工具,請瀏覽IR的網(wǎng)站http://www.irf.com。
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